INFINEON TECHNOLOGIES AG je nemecká spoločnosť, ktorá bola založená v r. 1999. Vznikla oddelením polovodičových komponentov od materskej spoločnosti Siemens AG. Vedenie spoločnosti má sídlo v nemeckom meste Neubiberg pri Mníchove.
Podrobnejšie informácie o spoločnosti INFINEON TECHNOLOGIES, ďalej už len INFINEON, je možné si pozrieť cez tento link: https://www.infineon.com/.
INFINEON je svetový líder s veľmi širokou ponukou polovodičových komponentov a riešení a je možné si ju pozrieť cez tento link:https://www.infineon.com/cms/en/product/.
Ďalej sa zameriame len na elektronické súčiastky, ktoré sú určené predovšetkým pre priemyselné aplikácie a výrobkov z oblasti výkonovej elektroniky. Túto ponuku si môžete pozrieť cez tento link: https://www.infineon.com/cms/en/product/power/.
Našu ponuku výberu elektronických súčiastok od INFINEONu si rozdelíme najprv na dve hlavné kategórie:
- Výkonové polovodičové súčiastky
- Integrované obvody
Ďalej bude naša prezentácia zameraná hlavne na výkonové polovodičové súčiastky.
Túto kategóriu ďalej rozdelíme podľa čipov do týchto troch hlavných skupín:
- Čipy na báze Si
- Čipy na báze SiC
- Čipy na báze GaN
V rámci týchto hlavných skupín ešte rozdelíme výkonové súčiastky na:
- Diskrétne prvky
- Moduly
1. Elektronické súčiastky s čipmi na báze Si
1.1. Diskrétne prvky
1.1.1. Diódy
Prehľad ponúkaných diskrétnych diód, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/.
1.1.1.1. Diódy usmerňovacie (štandardné) – označenie typu začína písmenom „D“
1.1.1.1.1. Diódy v púzdre so skrutkou (Stud)
Základné technické údaje:
- VRRM = (1 800 alebo 2 200) V
- IFAVM = (250 alebo 400) A
- púzdro …. SW27 M12 alebo SW41 M24
1.1.1.1.2. Diódy v púzdre tableta (Ceramic Disc)
Základné technické údaje:
- VRRM = (400 až 9 000) V
- IFAVM = (120 až 8 400) A
- púzdra: (fí42x14 až fí150x26) mm
1.1.1.2. Zváračkové diódy v púzdre púzdre tableta – označenie typu má písmena „DN“
Základné technické údaje:
- VRRM = 600 V
- IFAVM = (4 550 až 8 470) A
- púzdra: (fí38x4 až fí65x5) mm
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
1.1.1.3. Rýchle diódy (Fast Diodes)
1.1.1.3.1. Dióda v púzdre so skrutkou – typ D56S45C
Základné technické údaje:
- VRRM = 4 500 V
- IFAVM = 56 A
- trr = 3 us
- púzdro: SW27 M12
1.1.1.3.2. Dióda v púzdre tableta – typ D291S45T
Základné technické údaje:
- VRRM = 4 500 V
- IFAVM = 291 A
- púzdro: fí58x26 mm
1.1.1.4. Diódy spätné (Freewheeling) v púzdre tableta – označenie typu začína písm. „D“
Základné technické údaje:
- VRRM = (4 500 alebo 6 500) V
- púzdro: výška - 26 mm, priemer - fí (100, 120 alebo 172) mm
- používajú sa spolu s prvkami IGBT a IGCT
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
1.1.1.5. Diódy veľmi rýchle (UltraFast Recovery and HyperFast Recovery Diodes)
1.1.1.5.1. Diódy v púzdre TO-220, rad „Rapid 2“ – označenie typu začína písm. „IDP“
Základné technické údaje:
- VRRM = 650 V
- IF = (8 až 30) A, jedna dióda v púzdre
- IF = (2x10) A, dve diódy v púzdre - spoločné katódy (SK)
- spínacia frekvencia = (40 až 100) kHz
- trr = (42 až 114) ns
1.1.5.2. Diódy v púzdre TO-220 FP (FullPAK), rad „Rapid 2“
- označenie typu začína písmenami „IDV“
Základné technické údaje:
- VRRM = 650 V
- IF = (8 až 17,5) A, jedna dióda v púzdre
- spínaia frekvencia = (40 až 100) kHz
- trr = (40 až 65) ns
1.1.1.5.3. Diódy v púzdre TO-247 FP (FullPAK), rad „Rapid 2“
- označenie typu začína písm. „IDW“
Základné technické údaje:
- VRRM = 650 V
- IF = (15 až 40) A, jedna dióda v púzdre
- spínaia frekvencia = (40 až 100) kHz
- trr = (47 až 129) ns
1.1.1.5.4. Dióda v púzdre TO-247 FP (FullPAK), rad „Rapid 1“
- Označenie typu začína písmenami „IDFW“
Základné technické údaje:
- VRRM = 650 V
- IF = 40 A, jedna dióda v púzdre, trr = 76 ns
- IF = 2x30 A, dve diódy v púzdre - spoločné katódy (SK), trr = 112 ns
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
1.1.1.6. Diódy s veľmi mäkkým vypínaním (Ultra Soft Diodes)
Sú to diskrétne diódy v púzdre TO263-3, TO220-2 alebo TO247-3
Označenie typu začína písmenami:
- IDB …..... púzdro TO263-3, VRRM = (600 alebo 1 200) V
- IDP …...... púzdro TO220-2, VRRM = (600 alebo 1 200) V
- IDW …..... púzdro TO247-3, VRRM = 600 V
Základné technické údaje:
- VRRM = (600 alebo 1 200) V
- IF = (15 až 30) A / IDB; (12 až 45) A / IDP; (50 až 100) A / IDW;
- trr = (87 až 243) ns / IDB; (87 až 243) ns / IDP; (115 až 143) ns / IDW;
1.1.2. Tyristory fázovo riaditeľné (Standard Recovery)
1.1.2.1. Tyristory v púzdre tableta (Ceramic Disc) – označenie typu začína písmenom „T“
Základné technické údaje:
- VRRM = (200 až 10 000) V
- ITAVM = (245 až 4 640) A
- púzdra: (fí42x14 až fí172x40) mm
Prehľad ponúkaných diskrétnych tyristorov vrátane základných informácií a katalógo-vých listov je možné nájsť cez tento link:
1.1.3. MOSFETy (MOSFETs)
Kompletnú ponuku diskrétnych MOSFETov je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/
My ďalej stručne predstavíme ponuku len výkonových MOSFETov pre priemyselné aplikácie (> 250 W). Teda budú to diskrétne výkonové MOSFETy s čipmi na báze Si, N-ka-nálom a technológiou „CoolMOS“. Na vebových stránkach INFINEONu sú uvedené pod názvom: CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET.
1.1.3.1. N-MOSFETy, G7 rad (family)
Označenie typu začína „IPDD“ / DDPAK alebo „IPT“ / TO-Leadless
Základné technické údaje:
- VDSmax = (600 alebo 650) V
- IDmax = (13 až 47) A / DDPAK; (14 až 75) A / TO-Leadless
- RDS(on) = (190 až 50) mOhm / DDPAK; (195 až 28) mOhm / TO-Leadless
- púzdra: DDPAK (HDSOP) / SMD; TO-Leadless (HDSOF-8) /
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom radu G7 je možné nájsť cez tento link:
1.1.3.2. N-MOSFETy, C7 rad (family)
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína:
- „IPB“ / D2PAK (TO-263)
- „IPD“ / DPAK (TO-252)
- „IPL“ / ThinPAK 8x8
- „IPP“ / TO-220
- „IPA“ / TO-220FP (FullPAK)
- „IPW“ / TO-247
- „IPZ“ / TO-247-4
* Základné technické údaje:
- VDSmax = (600 alebo 650) V
- „IPB“ …... IDmax = (11 až 50) A; RDS(on) = (225 až 40) mOhm
- „IPD“ …... IDmax = (11 až 13) A; RDS(on) = (225 až 180) mOhm
- „IPL“ …... IDmax = (10 až 29) A; RDS(on) = (230 až 65) mOhm
- „IPP“ …... IDmax = (11 až 46) A; RDS(on) = (225 až 45) mOhm
- „IPA“ …... IDmax = (7 až 18) A; RDS(on) = (225 až 45) mOhm
- „IPW“ …... IDmax = (13 až 109) A; RDS(on) = (190 až 17) mOhm
- „IPZ“ …... IDmax = (22 až 109) A; RDS(on) = (99 až 17) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom radu C7 je možné nájsť cez tento link:
1.1.3.3. N-MOSFETy, P7 rad (family)
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína:
- „IPB“ / D2PAK (TO-263)
- „IPD“ / DPAK (TO-252)
- „IPN“ / (SOT-223)
- „IPL“ / ThinPAK 8x8
- „IPP“ / TO-220
- „IPA“ / TO-220FP (FullPAK)
- „IPAN“ / TO-220FP (FullPAK, N. L.)
- „IPAW“ / TO-220FP (FullPAK, W. C.)
- „IPW“ / TO-247
- „IPZA“ / TO-247-4-3
Základné technické údaje:
- VDSmax = 600 V
- „IPB“ …... IDmax = (9 až 61) A; RDS(on) = (360 až 45) mOhm
- „IPD“ …... IDmax = (6 až 18) A; RDS(on) = (600 až 180) mOhm
- „IPN“ …... IDmax = (6 až 9) A; RDS(on) = (600 až 360) mOhm
- „IPL“ …... IDmax = (10 až 41) A; RDS(on) = (365 až 65) mOhm
- „IPP“ …... IDmax = (6 až 48) A; RDS(on) = (600 až 60) mOhm
- „IPA“ …... IDmax = (6 až 48) A; RDS(on) = (600 až 60) mOhm
- „IPAN“ …... IDmax = (6 až 18) A; RDS(on) = (600 až 180) mOhm
- „IPAW“ ….. IDmax = (6 až 18) A; RDS(on) = (600 až 180) mOhm
- „IPW“ …... IDmax = (18 až 101) A; RDS(on) = (180 až 24) mOhm
- „IPZA“ …... IDmax = (18 až 101) A; RDS(on) = (180 až 24) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom je možné nájsť cez tento link:
1.1.3.4. N-MOSFETy, S7 rad (family)
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína:
- „IPP“ / TO-220
- „IPT“ / TO-Leadless (HSOF-8)
Základné technické údaje:
- VDSmax = 600 V
- „IPP“ …... IDmax = 23 A; RDS(on) = 22 mOhm
- „IPT“ …... IDmax = (8 až 23) A; RDS(on) = (65 až 22) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom radu P7 je možné nájsť cez tento link:
1.1.3.5. N-MOSFETy, CFD7 rad (family)
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína:
- „IPB“ / D2PAK (TO-263)
- „IPD“ / DPAK (TO-252)
- „IPL“ / ThinPAK 8x8
- „IPP“ / TO-220
- „IPA“ / TO-220FP (FullPAK)
- „IPW“ / TO-247
Základné technické údaje:
- VDSmax = 600 V
- „IPB“ …... IDmax = (7 až 50) A; RDS(on) = (360 až 40) mOhm
- „IPD“ …... IDmax = (7 až 16) A; RDS(on) = (360 až 1454) mOhm
- „IPL“ …... IDmax = (12 až 40) A; RDS(on) = (225 až 60) mOhm
- „IPP“ …... IDmax = (7 až 31) A; RDS(on) = (360 až 70) mOhm
- „IPA“ …... IDmax = (5 až 11) A; RDS(on) = (360 až 125) mOhm
- „IPW“ …... IDmax = (14 až 101) A; RDS(on) = (170 až 18) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom radu CFD7 je možné nájsť cez tento link:
1.1.4. IGBTy (IGBTs)
Kompletnú ponuku diskrétnych IGBTov je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/.
Na tejto vebovej stránke sú diskrétne IGBTy rozdelené do dvoch nasledovných skupín:
1.1.4.1. IGBT s antiparalelnou (spätnou) diódou, pre priemyselné aplikácie
K tejto skupine diskrétnych IGBTov je možné nájsť stručné informácie cez tento link:
V tejto skupine sú nasledovné podskupiny s informáciou o napätí VCE a technológii:
- 600V/1200V TRENCHSTOP
- 600V/1200V high-speed IGBTs
- 600V RC(Reverse Conducting)-Drives and RC-Drives Fast
- 650V/1200V/1350V/1600V Next Generation Reverse Conducting IGBT
- 1100V/1200V/1350V 3rd Generation Reverse Conducting IGBT
- 1200V RC-E Reverse Conducting IGBT
Kliknutím na jednotlivé podskupiny je možné nájsť základné informácie a katalógové listy k ponúkaným IGBTom.
1.1.4.2. IGBT bez antiparalelnej (spätnej) diódy, pre priemyselné aplikácie
K tejto skupine diskrétnych IGBTov je možné nájsť stručné informácie cez tento link:
V tejto skupine sú nasledovné podskupiny s informáciou o napätí VCE a technológii:
- 600V/1200V TRENCHSTOP
- 600V/1200V HighSpeed 3
- 600V TRENCHSTOP Perf.
- 650V TRENCHSTOP 5
- 600V Gen 6.2
Kliknutím na jednotlivé typy / označenie IGBTov je možné nájsť základné informácie a katalógové listy.
1.2. Moduly
Prehľad ponúkaných modulov vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/thyristor-diode-modules/.
1.2.1. Diódové moduly (Diode Modules)
1.2.1.1. Moduly s diódami usmerňovacími
1.2.1.1.1. Jedna dióda v púzdre – označenie typu začína písmenami „ND“ alebo „DZ“
Základné technické údaje pre typy „ND“:
- VRRM = (1 200 až 1 800) V
- IFAVM = (104 až 350) A
- púzdra: (20x92x30; 34x94x30; 70x104x80) mm
Základné technické údaje pre typy „DZ“:
- VRRM = (1 800 až 4 400) V
- IFAVM = (950 až 1 100) A
- púzdro: (70x104x80) mm
1.2.1.1.2. Dve diódy, zapojenie:
- v sérii (vetva) – označenie typu začína písmenami „DD“
- spoločné katódy – označenie typu začína písmenami „DD-K“
Základné technické údaje:
- VRRM = (1 200 až 4 400) V
- IFAVM = (89 až 710) A
- púzdra: (20x92x30) mm / Power Block; (34x94x30) mm / Power Bl. alebo Eco Block
- (50x92x53) mm / Prime Block alebo Eco Bl.; (60x124x52) mm / Power Block
1.2.1.1.3. Diódové mostíky trojfázové (Diode Bridges)
- označenie typu začína písmenami „DDB6U“
Základné technické údaje:
- VRRM = (1 200 až 1 800) V
- ID = (85 až 215) A
- púzdra: (54x94x30) mm / ISOPACK; (45x107x17) mm / EconoBRIDGE
1.2.1.1.4. Diódové mostíky trojfázové s brzdovým spínačom (Diode Bridges with Brake Chopper)
- označenie typu začína písmenami „DDB6U“
Základné technické údaje:
- VRRM = 1 600 V
- ID = (84 až 180) A
- púzdro: (45x107x17) mm / EconoBRIDGE
1.2.1.1.5. Diódové mostíky trojfázové s brzdovým spínačom a NTC (Diode Bridges with Brake Chopper and NTC)
- označenie typu začína písmenami „DDB6U“
Základné technické údaje:
- VRRM = 1 600 V
- ID = (75 až 134) A
- púzdra: (34x48x12) mm / EasyBRIDGE 1; (45x107x17) mm / EconoBRIDGE
1.2.2. Tyristorové moduly (Thyristor Modules)
Sú to moduly s fázovo riaditeľnými tyristormi.
1.2.2.1. Moduly s jedným tyristorom – označenie typu začína písmenami „TZ“
Základné technické údaje:
- VRRM = (1 200 až 3 600) V
- ITAVM = (150 až 600) A
- púzdra: (50x92x53) mm / Power Block; (70x104x80) mm / Power Block a Eco Block
1.2.2.2. Moduly s dvoma tyristormi zapojenými v sérii (vetva)
- označenie typu začína písmenami „TT“
Základné technické údaje:
- VRRM = (1 400 až 1 600) V
- ITAVM = (55 až 119) A
- púzdra: (20x92x30) mm / Power Block alebo Eco Block
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
- VRRM = (1 200 až 2 200) V
- ITAVM = (122 až 240) A
- púzdra: (34x94x30) mm / Power Block alebo Eco Block
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
- VRRM = (1 400 až 2 600) V
- ITAVM = (150 až 380) A
- púzdra: (50x92x53) mm / Power Block alebo Eco Block
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
- VRRM = (1 200 až 3 800) V
- ITAVM = (240 až 820) A
- púzdro: (60x124x52) mm / Power Block
1.2.2.3. Moduly s dvoma tyristormi zapojenými antiparalelne, AC spínač (AC-Switch) (Thyristor Soft Starter Modules)
- označenie typu začína písmenami „STT“
Základné technické údaje:
- VRRM = 1 600 V
- Ioverload (21 s) = (800 až 2 180) A
- púzdro: (55x134x100) mm
Prehľad ponúkaných modulov vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/tyristor-soft-starter-modules/.
1.2.2.4. Modul s trojfázovým AC spínačom (Fully Controled AC-Switches)
- označenie typu začína písmenami „TTW3C“
Základné technické údaje:
- VRRM = 1 600 V
- IRMSM = 85 A
- púzdro: (54x94x30) mm / ISOPACK
Základné informácie a katalógové listy k ponúkanému modulu je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/bridge-rectifier-ac-switches/.
1.2.2.5. Modul s trojfázovým riadeným usmerňovačom (Fully Controled Bridges)
- označenie typu začína písmenami „TTB6C“
Základné technické údaje:
- VRRM = 1 600 V
- IRMSM = (135 alebo 165) A
- púzdro: (54x94x30) mm / ISOPACK
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným modulom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/bridge-rectifier-ac-switches/.
1.2.3. Tyristory/diódy moduly (Thyristors/Diodes Modules)
Sú to moduly s fázovo riaditeľnými tyristormi a usmerňovacími diódami. Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným modulom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/diodes-thyristors/bridge-rectifier-ac-switches/.
1.2.3.1. Poloriadené mostíky trojfázové (Half Controlled Bridges)
- označenie typu začína „TDB6HK“
Základné technické údaje:
- VDRM/VRRM = 1 600 V
- IRMSM = 95 A
- púzdro: (54x94x30) mm / ISOPACK
1.2.3.2. Poloriadené mostíky trojfázové s brzdovým spínačom (Half Controlled Bridges with Brake Chopper)
- označenie typu začína „TDB6HK“
Základné technické údaje:
- VDRM/VRRM = 1 600 V
- IRMSM = 180 A
- púzdro: (45x108x17) mm / EconoBRIDGE
1.2.3.3. Poloriadené mostíky trojfázové s brzdovým spínačom a NTC (Half Controlled Bridges with Brake Chopper and NTC)
- označenie typu začína „TDB6HK“
Základné technické údaje:
- VDRM/VRRM = 1 600 V
- IRMSM = (240 alebo 360) A
- púzdro: (45x108x17) mm / EconoBRIDGE
1.2.4. IGBTové moduly (IGBT Modules)
Ponuka modulov je veľmi široká. Najznámejšie rady / rodiny / série sú nasledovné:
- 62 mm … IGBT2, IGBT3, IGBT4
- Easy families … IGBT3, IGBT4, IGBT5, IGBT7, IGBT HS3, IGBT TS5
- Econo families … DUAL3, PIM 2&3, PACK 2&3, PACK 4, BRIDGE, PACK+
- IHM (High Power) / IHV (High Voltage) B-series … IGBT3, IGBT4
- PrimePACK … IGBT4, IGBT5
- XHP (High Power) … IGBT3
Základné informácie k uvedeným radom / rodinám / sériam je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/igbt-modules/.
Kliknutím na jednotlivé rady / rodiny / série je možné nájsť základné informácie aj katalógové listy.
1.2.5. Inteligentné výkonové moduly (Intelligent Power Modules - IPM)
Ponuka týchto modulov je veľmi široká. Tieto IPM obsahujú rôzne polovodiče v rôznych púzdrach a rôznych napäťových a prúdových triedach. Sú rozdelené do troch hlavných skupín / rodín (families): Compact, Standard a Performance.
Časť IPM má obchodnú značku (™) „CIPOS“. Sú to nasledovné rodiny (families) IPM:
CIPOS Nano, CIPOS Micro, CIPOS Tiny, CIPOS Mini a CIPOS Maxi.
Sú to vysoko integrované a kompaktné výkonové moduly, navrhnuté pre pohony motorov v domácich spotrebičoch, ale aj vo ventilátoroch a čerpadlách.
Základné informácie k uvedeným IPM je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/intelligent-power-modules-ipm/.
Kliknutím na jednotlivé rady / rodiny / série je možné nájsť základné informácie aj katalógové listy.
2. Elektronické súčiastky s čipmi na báze SiC
2.1. MOSFETy s čipmi na báze SiC (Silicon Carbide MOSFETs)
Základné informácie k týmto prvkom, ktoré majú obchodnú značku (™) „CoolSiC“, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/.
Ďalej si stručne predstavíme MOSFETy pre priemyselné aplikácie.
2.1.1. MOSFETy diskrétne (Silicon Carbide MOSFET Discretes)
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína písmenami:
- „IMBF“ / TO263-7
- „IMW“ / TO247-3
- „IMZA“ / TO247-4
Základné technické údaje:
- „IMBF“ -- VDSmax = 1 700 V; IDmax = (5,2 až 9,8) A; RDS(on) = (1,0 až 0,45) Ohm
- „IMW“ -- VDSmax = 1 200 V; IDmax = (4,7 až 56) A; RDS(on) = (350 až 30) mOhm
- „IMZA“ -- VDSmax = 650 V; IDmax = (20 až 39) A; RDS(on) = (107 až 48) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/.
2.1.2. MOSFETové moduly (Silicon Carbide MOSFET Modules)
Označenie typu a základné technické údaje:
- „F3L“ / 3-Level … VDSS = 1 200 V; RDS(on) = (11 až 15) mOhm
- „FF“ / Dual … VDSS = 1 200 V; RDS(on) = (6 až 45) mOhm
- „F4“ / Fourpack … VDSS = 1 200 V; RDS(on) = 23 mOhm
- „FS“ / Sixpack … VDSS = 1 200 V; RDS(on) = 45 mOhm
- „DF“ / Booster … VDSS = 1 200 V; RDS(on) = (11 alebo 23) mOhm
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným MOSFETovým modulom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/modules/.
2.2. SCHOTTKY diódy s čipmi na báze SiC(Silicon Carbide Schottky Diodes)
2.2.1. SCHOTTKY diódy diskrétne, pre priemyselné aplikácie
Označenie typu pre jednotlivé púzdra začína písmenami:
- „IDK“ / TO-263 real 2pin, G5, 1 200 V
- „IDK“ / D2PAK real 2pin, G5, 650 V
- „IDD“ / DPAK (TO-252), G3, 600 V
- „IDM“ / DPAK (TO-252), G5, 1 200 V
- „IDDD“ / DDPAK (HDSOP), G6, 650 V
- „IDL“ / ThinPAK, G6, 650 V
- „IDH“ / TO-220 real 2pin, G3, 600 V
- „IDH“ / TO-220 real 2pin, G5, (650 alebo 1 200) V
- „IDH“ / TO-220 real 2pin, G6, 650 V
- „IDW“ / TO-247, G5, (650 alebo 1 200) V
- „IDWD“ / TO-247 real 2pin, G5, 1 200 V
Základné technické údaje:
- „IDK“ …... VDCmin = 1 200 V; IFmax = (2 až 20) A; VF = (1,4 až 1,65) V
- „IDK“ …... VDCmin = 650 V; IFmax = (2 až 20) A; VF = (1,4 až 1,65) V
- „IDD“ …... VDCmin = 600 V; IFmax = (3 až 10) A; VF = (1,8 až 2,1) V
- „IDM“ …... VDCmin = 1 200 V; IFmax = (2 až 10) A; VF = (1,4 až 1,65) V
- „IDDD“ …... VDCmin = 650 V; IFmax = (4 až 20) A; VF = 1,25 V
- „IDL“ …... VDCmin = 650 V; IFmax = (2 až 12) A; VF = 1,5 V
- „IDH“ / G3 …... VDCmin = 600 V; IFmax = (3 až 12) A; VF = (1,8 až 2,1) V
- „IDH“ / G5 …... VDCmin = 650 V; IFmax = (2 až 20) A; VF = 1,5 V
- „IDH“ / G5 …... VDCmin = 1 200 V; IFmax = (2 až 20) A; VF = (1,4 až 1,65) V
- „IDH“ / G6 …... VDCmin = 650 V; IFmax = (4 až 20) A; VF = 1,25 V
- „IDW“ / G5 …... VDCmin = 650 V; IFmax = (10 až 40) A; VF = 1,5 V
- „IDW“ / G5 …... VDCmin = 1 200 V; IFmax = (10 až 40) A; VF = 1,4 V
- „IDWD“ / G5 …... VDCmin = 1 200 V; IFmax = (10 až 40) A; VF = 1,4 V
Základné informácie a katalógové listy k ponúkaným SCHOTTKY diódam, ktoré majú obchodnú značku (™) „CoolSiC“, je možné nájsť cez tento link:
2.3. Hybridné moduly (Hybrid Modules)
Sú to moduly, ktoré majú ako výkonové prvky:
- tranzistory IGBT s čipmi na báze Si a
- diódy SCHOTTKY na báze SiC
INFINEON ponúka hybridné moduly s nasledovnými čipmi IGBTov:
- TRENCHSTOP 5 H5
- High Speed H3
Ponúkané hybridné moduly sú v púzdrach EasyPACK 1B a EasyPACK 2B.
Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
3. Elektronické súčiastky s čipmi na báze GaN
Základné informácie o elektronických súčiastkách s čipmi na báze GaN a ich porovnanie s čipmi na báze Si je možné nájsť cez tento link:
Podľa týchto informácií INFINEON ponúka:
- GaN HEMTs pod obchodnou značkou „CoolGaN“
sú to výkonové prvky pre vysoké rýchlosti spínania - budiče prvkov GaN HEMTs pod obchodnou značkou „GaN Eice Driver“
3.1. Výkonové spínacie prvky s čipmi na báze GaN (GaN HEMTs)
Ponúkané prvky sú v púzdrach SMD a označenie typu začína písmenami:
- „IGO“ / DSO-20; VDSmax = 600 V, RDS(on) max = 70 mOhm
- „IGOT“ / DSO-20; VDSmax = 600 V, RDS(on) max = 70 mOhm
- „IGT“ / HSOF-8; VDSmax = 400 V, RDS(on) max = 70 mOhm
- „IGT“ / HSOF-8; VDSmax = 600 V, RDS(on) max = (70 alebo 190) mOhm
- „IGLD“ / LSON-8; VDSmax = 600 V, RDS(on) max = (70 alebo 190) mOhm
K jednotlivým púzdram, za „ ; „ sú ešte pridané aj základné elektrické parametre.
Prehľad ponúkaných prvkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
3.2. Budiče výkonových prvkov s čipmi na báze GaN (GaN Eice Driver)
Sú to jednokanálové, galvanicky izolované budiče typu „High-side“ pre výkonové spínacie prvky GaN HEMTs.
Základné informácie k týmto integrovaným obvodom (budičom) je možné nájsť cez tento link:
Ponúkané prvky sú v púzdrach SMD a označenie typu začína písmenami:
- „1EDF“ / DSO-16; Napäťová trieda = 650 V, Výstupný prúd (source/sink) = 4 / 8 A
- „1EDF“ / TFLGA-13; Napäťová trieda = 650 V, Výstupný prúd (source/sink) = 4 / 8 A
- „1EDS“ / DSO-16; Napäťová trieda = 650 V, Výstupný prúd (source/sink) = 4 / 8 A
K jednotlivým púzdram, za „ ; „ sú ešte pridané aj základné elektrické parametre.
4. Elektronické integrované obvody (ICs)
Aj v tejto skupine elektronických súčiastok, má INFINEON širokú ponuku, čo je možné si pozrieť cez tento link: https://www.infineon.com/cms/en/product/.
V súvislosti s našim zameraním sa na elektronické súčiastky pre priemyselné aplikácie zariadení výkonovej elektroniky, zo širokej ponuky INFINEONu si pre ďalšie stručné informácie vyberieme tieto skupiny komponentov:
- Budiče výkonových tranzistorov (Gate Drivers ICs)
- IO pre riadenie motorov (Motor Control ICs)
- Komponenty pre DC – DC meniče (DC – DC Converters)
- Komponenty pre AC – DC meniče (AC – DC Power Conversion)
4.1. Budiče výkonových tranzistorov (Gate Drivers ICs)
Budiče sú IO, ktoré tvoria interfejs medzi riadiacimi signálmi, digitálneho alebo analógového kontrolera, a výkonovými spínačmi, ktorými môžu byť:
- IGBTy a MOSFETy s čipmi na báze Si
- MOSFETy s čipmi na báze SiC
- HEMTy s čipmi na báze GaN
INFINEON ponúka budiče, ako IO, s obchodným názvom EiceDRIVER™ , ktoré sú ur-čené pre všetky tieto výkonové spínače.
Základné informácie k týmto budičom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/.
Z uvedenej ponuky vyberáme nasledovné skupiny budičov:
4.1.1. Budiče horného spínača (High Side Drivers) pre MOSFETy a IGBTy
Horný spínač je ten, ktorého „DRAIN / COLLECTOR“ je pripojený na + pól zdroja. Sú to jedno alebo dvoj kanálové budiče.
Prehľad ponúkaných budičov horného spínača, vrátane základných informácií a katalógo-vých listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/high-side-drivers/.
4.1.2. Budiče dolného spínača (Low Side Drivers) pre MOSFETy a IGBTy
Dolný spínač je ten, ktorého „SOURCE / EMITTER“ je pripojený na - pól zdroja.
Sú to jedno alebo dvoj kanálové budiče.
Prehľad ponúkaných budičov dolného spínača, vrátane základných informácií a katalógo-vých listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/low-side-drivers/.
4.1.3. Budiče horného a dolného spínača (High and Low Side Drivers)
pre MOSFETy a IGBTy
Spínače sú zapojené do série (vetva), pričom „DRAIN / COLLECTOR“ horného spínača je pripojený na + pól zdroja a „SOURCE / EMITTER“ dolného spínača je pripojený na
- pól zdroja.
Prehľad ponúkaných budičov horného a dolného spínača, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/high-and-low-side-drivers/.
4.1.4. Budiče spínačov v polomostíku (Half-Bridge Drivers) pre MOSFETy a IGBTy
Prehľad ponúkaných budičov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/half-bridge-drivers/.
4.1.5. Budiče spínačov v mostíku (Full Bridge Drivers) pre MOSFETy a IGBTy
Prehľad ponúkaných budičov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/full-bridge-drivers/.
4.1.6. Budiče spínačov v trojfázovom zapojení (Three Phase Drivers)
pre MOSFETy a IGBTy
Prehľad ponúkaných budičov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/three-phase-drivers/.
4.2. IO pre riadenie motorov (Motor Control ICs)
INFINEON ponúka riešenia pre systémy riadenia motorov aj v priemyselných apliká-ciach. Základné informácie k IO pre riadenie motorov je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/motor-control-ics/.
Ďalej si stručne predstavíme IO, ktoré INFINEON ponúka pod obchodnou značkou „iMOTION™“. Sú to výrobky s vysokou integráciou, určené pre riadenie pohonov s re-guláciou otáčok (Digital Motor Controller).
4.2.1. Digitálne kontrolery motorov (Digital Motor Controller)
Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/motor-control-ics/digital-motor-controller-imotion/.
Sem patria nasledovné tri rady/series výrobkov:
4.2.1.1. IMC300 Series
Sú to IO pre riadenie motora PMSM a BLDC a PFC. Má tiež 32-bitový MCU.
Výrobky sú v púzdre QFP-64 a označenie typu začína „IMC30“.
Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
4.2.1.2. IMM100 Series
Sú to Smart IPM pre riadenie BLDC motora. Moduly sú v púzdre IQFN-38-1 a označenie typu začína „IMM10“.
Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
4.2.1.3. IMC100 Series
Sú to IO pre riadenie otáčok motora PMSM alebo BLDC. Moduly sú v púzdre TSSOP-
-38-9, VQFN-48-73 a LQFP-64-26. Označenie typu začína „IMC10“.
Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
4.3. Komponenty pre DC – DC meniče (DC- DC Converters)
INFINEON ponúka riešenia pre riadenie výkonu s najvyššou hustotou vrátane výkono-vých stupňov, viacfázových digitálnych ovládačov a integrovaných prevodníkov PoL (Point of Load).
Základné informácie k týmto komponentom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/motor-control-ics/.
4.4. Komponenty pre AC – DC meniče (AC- DC Power Conversion)
INFINEON ponúka k AC – DC meničom komponenty pre:
- výkonovú časť
- riadiacu časť
Základné informácie k týmto komponentom je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/ac-dc-power-conversion/.
Ďalej stručne predstavíme komponenty pre obidve časti AC-DC meničov.
4.4.1. Výkonová časť (AC-DC Integrated Power Stage / CoolSET)
INFINEON ponúka integrovanú výkonovú časť „CoolSET“ pre meniče s pevnou spína-cou frekvenciou alebo spínaním „quasi-resonant“.
Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tieto linky:
4.4.2. Riadiaca časť (AC-DC PWM-PFC Controller)
INFINEON má výrobky riadiacej časti AC-DC meničov rozdelené do 7 skupín. Prehľad ponúkaných výrobkov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/ac-dc-power-conversion/.