Spoločnosť LITTELFUSE Inc. založil Edward V. Sundt v r. 1927 v americkom meste Chicago, štát Illinois. Jej hlavným zameraním sú ochranné obvody (circuits protection), elektronické spínače (electronic switches) a automobilové senzory (automotive sensors). Výrobné a vývojové strediská má v Amerike, Európe a Ázii.
Podrobnejšie informácie o spoločnosti LITTELFUSE je možné si pozrieť tu: https://www.littelfuse.com/.
LITTELFUSE má veľmi širokú ponuku výrobkov, od spotrebnej elektroniky až po vozidlá a priemysel. A túto ponuku výrobkov je možné si pozrieť na stránke výrobcu tu:
https://www.littelfuse.com/products.aspx.
Spoločnosť LITTELFUSE kúpila v auguste 2017 spoločnosť IXYS Corporation, ktorú založil Dr. Nathan Zommer v roku 1983 v Silicon Valley. Bolo to v americkom meste Santa Clara, štát California.
Hlavným zameraním spoločnosti IXYS bol vývoj a výroba výkonových polovodičových súčiastok (Power Semiconductors).
Naša ponuka je zameraná predovšetkým na elektronické súčiastky, ktoré sú určené pre rôzne aplikácie a výrobky z oblasti výkonovej elektroniky. Z ponuky LITTELFUSE sú to nasledovné dve hlavné kategórie výrobkov a príslušné linky pre podrobnejšie informácie:
- Výkonové polovodičové prvky (Power Semiconductors)
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors.aspx - Integrované obvody (Integrated Circuits)
https://www.littelfuse.com/products/integrated-circuits.aspx
Ppodrobnejšie informácie sú na vebovej stránke:
Dve hlavné kategórie LITTELFUSE:
- Výkonové polovodičové súčiastky
- Integrované obvody
Naša prezentácia je zameraná hlavne na výkonové polovodičové súčiastky.
Túto kategóriu ďalej rozdelíme podľa čipov do týchto dvoch hlavných skupín:
1. Čipy na báze Si
- Diskrétne prvky
- Moduly
2. Čipy na báze SiC
- Diskrétne prvky
- Moduly
1. Elektronické súčiastky s čipmi na báze Si
1.1. Diskrétne súčiastky
1.1.1. Diódy
Prehľad ponúkaných diskrétnych diód, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-diodes.aspx.
1.1.1.1. Diódy usmerňovacie (štandardné)
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-diodes/rectifier.aspx.
1.1.1.1.1. Diódy usmerňovacie v púzdrach so skrutkou (Stud Types)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
DS“ … VRRM = 1 200 V, IFAV = (25 až 110) A
… púzdra: DO-203AA (DO-4 / M5) alebo 203-AB (DO-5 / M6)
Už nie sú v aktuálnej ponuke výrobcu.
1.1.1.1.2. Diódy usmerňovacie v púzdrach tableta (Capsule Types)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „W“ … VRRM = (200 a 7 200) V, IFAV = (505 až 12 100) A
… púzdra: W1 až W117, WD2 až WD8
Prehľad ponúkaných diód, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.1.1.1.3. Diódy usmerňovacie v púzdrach na DPS a SOT-227B
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DSI“ … VRRM = (800, 1 200 a 1 600) V, IFAV = (30 alebo 45) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247, ISOPLUS247
alebo
- „DSI“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, IFAV = (2 x 60) A,
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SOT-227B
- „DSIK“ … VRRM = 1 600 V, IFAV = (2 x 45) A,
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdro: ISOPLUS247
- „DMA“ … VRRM = (800 až 1 800) V, IFAV = (10 až 150) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-252, TO-220, TO-263, TO-247, SOT-227B
alebo
- „DMA“ … VRRM = (1 200 až 1 800) V, IFAV = (10 až 50) A,
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
… púzdra: TO-252, TO-263, TO-247, ISO-247
- „DLA“ … VRRM = (800 alebo 1 200) V, IFAV = (10 až 60) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-252, TO-263, TO-247
alebo
- „DLA“ … VRRM = (2 x 800) V, IFAV = 5 A,
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
… púzdro: TO-252
- „DSP“ … VRRM = (2 x 800 až 1 800) V, IFAV = (8 až 45) A,
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247, ISOPLUS247, TO-268
1.1.1.2. Diódy rýchle (Fast Recovery Diodes - FRD)
1.1.1.2.1. Diódy rýchle v púzdrach tableta (Capsule Types)
Prehľad ponúkaných diód, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „M“ … VRRM = (200 a 4 500) V, IFAV = (588 až 3 770) A, trr = (0,45 až 4,0) us
… púzdra: W2 až W7, W37, W42, W43 a W54
1.1.1.2.2. Diódy rýchle, rad SONIC-FRD™ (SONIC Fast Recovery Diodes)
Sú rýchle, majú vysokú výkonnosť, nízke straty a mäkké vypínanie (Soft Recovery).
1.1.1.2.2.1. Vysoko výkonové diódy (High Power Sonic FRD) v púzdrach tableta
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „E“ … VRRM = (1 700 a 6 500) V, IFAV = (277 až 4 210) A, trr = (0,45 až 4,0) us
… púzdra: W3, W5, W28, … W111
1.1.1.2.2.2. Diódy rýchle, rad SONIC-FRD™ v púzdrach na DPS a SOT-227
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DHG“ … VRRM = (600, 1 200 a 1 800) V, IFAV = (5 až 60) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247
alebo
- „DHG“ … VRRM = (3 300 alebo 4 500) V, IFAV = (50 alebo 43) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: ISOPLUS i4-PAC, ISOPLUS264
alebo
- „DHG“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 5 až 30) A,
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-3P
alebo
- „DHG“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 5 až 30) A,
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-3P
alebo
- „DHG“ … VRRM = (650 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 25 alebo 50) A,
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SOT-227B
- „DH“ ...… VRRM = (1 400 až 1 800) V, IFAV = (20 až 60) A, 1 dióda v púzdre
...… púzdro: TO-247
alebo
- „DH“ ...… VRRM = 1 800 V, IFAV = (2 x 60) A,
2 samostatné diódy v púzdre
….… púzdro: SOT-227B
- „DHH“ .… VRRM = (2 x 1 800) V, IFAV = 60 A,
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
.… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- trr = (35 až 165) ns …. pre všetky uvedené typy
1.1.1.2.3. Diódy veľmi rýchle (Super Fast Recovery Diodes) v púzdre TO-247
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
Začiatok označenia typu a základné technické údaje:
- „DSDI“ … VRRM = (1 400 až 1 800) V, IFAVM = 63 A, trr = 40 ns
1.1.1.2.4. Diódy zvlášť rýchle (Extra Fast Recovery) v púzdrach tableta (Capsule Types)
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „F“ … VRRM = (800 a 5 500) V, IFAV = (240 až 1 346) A, trr = (1,1 až 4,3) us
… púzdra: W1 až W6 a W43
1.1.1.2.5. Diódy rýchle epitaxné (Fast Recovery Epitaxial Diodes - FRED)
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DSEI“ … VRRM = (200 až 1 200) V, IFAV = (8 až 126) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247, TO-268, ISOPLUS247
alebo
- „DSEI“ … VRRM = (200 až 1 200) V, IFAV = (2 x 28 až 165) A
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdra: SOT-227, ECO-PAC 1, ECO-PAC 2,
- „DFE“ .… VRRM = 600 V, IFAV = (10 alebo 25) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-247
alebo
- „DFE“ .… VRRM = 600 V, IFAV = (2 x 120) A, 1 dióda v púzdre,
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SOT-227
- „DSEK“ … VRRM = (200 až 1 200) V, IFAV = (2 x 26 až 150) A
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-247, ISOPLUS247, SOT-227
– trr = (35 až 77) ns …. pre všetky uvedené typy
1.1.1.2.5.1. Diódy rýchle epitaxné, rad HiPerFRED™ (High Performance FRED)
Majú vysokú výkonnosť, nízke straty a mäkké vypínanie (Soft Recovery).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DPG“ … VRRM = (200 až 600) V, IFAV = (10 až 60) A, 1 dióda v púzdre
… púzdra: TO-252, TO-220, TO-263, TO-247
alebo
- „DPG“ … VRRM = (200 až 400) V, IFAV = (2 x 10 až 60) A,
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247, TO-3P, ISOPLUS247
alebo
- „DPG“ … VRRM = (2 x 300 alebo 400) V, IFAV = (10 alebo 30) A,
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
… púzdra: ISOPLUS220
- „DPF“ … VRRM = (200 až 400) V, IFAV = (10 alebo 60) A, 1 dióda v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247
alebo
- „DPF“ … VRRM = (200 alebo 300) V, IFAV = (2 x 30) A,
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-247, ISOPLUS247
alebo
- „DPF“ … VRRM = (200 alebo 400) V, IFAV = (2 x 120) A,
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SOT-227B
- „DSEP“ … VRRM = (300, 600 alebo 1 200) V, IFAV = (6 až 90) A, 1 dióda v púzdre
… púzdra: TO-252, TO-220, ISOPLUS220, TO-263, TO-247, ISOPLUS247 a
TO-268
- „DSEP“ … VRRM = (300, 400, 600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 30 až 100) A
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SOT-227B
- „DSEC“ … VRRM = (400, 600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 8 až 120) A
… trr = (15 až 60) ns …. pre všetky uvedené typy
… púzdra: TO-220, ISOPLUS220, TO-263, TO-247, TO-264 a SOT-227UI
1.1.1.3. Diódy s mäkkým vypínaním (Soft Recovery)
1.1.1.3.1. Diódy s mäkkým vypínaním v púzdre so skrutkou (Stud Types)
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „M“ … VRRM = (1 200 až 2 500) V, IFAV = (130 až 336) A, trr = (1,0 až 3,5) us
… púzdra: W20 ( M12x1,75) až W24 (3/4“-16UNF-2A)
1.1.1.3.2. Diódy s mäkkým vypínaním v púzdrach tableta (Capsule Types)
Prehľad ponúkaných diód vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „M“ … VRRM = (1 200 až 6 000) V, IFAV = (225 až 4 305) A, trr = (1,4 až 5,2) us
… púzdra: W1 až W7, WD8, W37 až W113
1.1.1.4. Diódy Schottky (Schottky Diodes)
Prehľad ponúkaných diód Schottky, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.1.1.4.1. Diódy Schottky v púzdrach na DPS
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DSA“ … VRRM = (45 až 200) V, IFAV = (15 až 300) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-252, TO-262
alebo
- „DSA“ … VRRM = (45 až 200) V, IFAV = (2 x 5 až 60) A
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-262, TO-263, TO-3P a ISO247
alebo
- „DSA“ … VRRM = (150 až 200) V, IFAV = (2 x 60 alebo 120) A
2 samostatné diódy v púzdre
… púzdro: SMPD-B
- „DSB“ … VRRM = (15 až 45) V, IFAV = (10 až 20) A, 1 dióda v púzdre,
… púzdra: TO-220, TO-252, TO-262
alebo
- „DSB“ … VRRM = (15 až 60) V, IFAV = (2 x 10 až 40) A
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247
alebo
- „DSB“ … VRRM = (2x 60) V, IFAV = 10 A
2 diódy zapojené do série (vetva) v púzdre
… púzdro: TO-220
- „DSS“ … VRRM = (8 až 150) V, IFAV = (6 až 60) A, 1 dióda v púzdre
… púzdra: TO-220, ISOPLUS220, TO-247, TO-252 a TO-263
- „DSSK“ … VRRM = (8 až 200) V, IFAV = (2 x 8 až 40) A
2 diódy so spoločnými katódami v púzdre
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263 a ISOPLUS247
1.1.1.4.2. Diódy Schottky v púzdrach SOT-227
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „DSA“ … VRRM = (45, 100 a 200) V, IFAV = 300 A, 1 dióda v púzdre,
alebo
- „DSA“ … VRRM = (150 alebo 200) V, IFAV = (2 x 120) A
2 samostatné diódy v púzdre
- „DSS“ … VRRM = (8 až 200) V, IFAV = (2 x 40 až 200) A
2 samostatné diódy v púzdre
1.1.2. Tyristory fázovo riaditeľné (Standard Recovery)
Prehľad ponúkaných diskrétnych tyristorov, vrátane základných informácií a katalógo-vých listov, je možné nájsť cez tento linky:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-thyristors.aspx.
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.1.2.1. Tyristory fázovo riaditeľné v púzdrach so skrutkou (Stud Types)
Prehľad ponúkaných tyristorov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „N0“ … VRRM = (400 až 1 600) V, ITAV = (180 až 416) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W17 (1/2“-20UNF-2A) alebo W18 (3/4“-18UNF-2A)
1.1.2.2. Tyristory fázovo riaditeľné v púzdrach tableta (Capsule Types)
Prehľad ponúkaných tyristorov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „N0“ … VRRM = (1 400 až 4 500) V, ITAV = (465 až 910) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W10, W11, W90 a W91
- „N1“ … VRRM = (800 až 4 500) V, ITAV = (1 010 až 1 806) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W10 až W12, WP1, WP2, WP6, W62, W70 a W92
- „N2“ … VRRM = (200 až 4 500) V, ITAV = (2 055 až 2 830) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W11, W13, WP1 až WP5, W46, W70, W79 až W82
- „N3“ … VRRM = (200 až 3 600) V, ITAV = (3 012 až 3 930) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W13, WP2 až WP5, W46, W79 až W82
- „N4“ … VRRM = (200 až 4 500) V, ITAV = (4 085 až 4 940) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W13, WP3, WP4, W46, W81, W82, W107 a W108
- „N5“ … VRRM = (2 400 až 4 500) V, ITAV = (5 320 až 5 910) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W107, W108, W118 a W119
- „N6“ … VRRM = (200 až 2 800) V, ITAV = (6 012 až 6 974) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W46, W107 a WP4
- „N7“ … VRRM = (1 800 až 2 800) V, ITAV = (7 535 až 7 905) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W119
- „N8“ … VRRM = (1 800 až 2 800) V, ITAV = (8 440 až 8 800) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W118
- „K0“ … VRRM = (3 600 až 6 500) V, ITAV = (450 až 1 010) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W10, W11, W56, W75, W76 a W78
- „K1“ … VRRM = (2 800 až 6 500) V, ITAV = (1 130 až 1 947) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W11, W13, W46, W77 až W80
- „K2“ … VRRM = (3 600 až 6 500) V, ITAV = (2 095 až 2 380) A @ Tc = 55 °C
… púzdra: W13, W46, W81 a W82
- „K3“ … VRRM = (6 000 alebo 6 500) V, ITAV = 3 745 A @ Tc = 55 °C
… púzdro: W107
- „K4“ … VRRM = (4 200 alebo 5 200) V, ITAV = (4 005 alebo 4 215) A @ Tc = 55 °C
… púzdro: W107
1.1.2.3. Tyristory fázovo riaditeľné (Phase Control Thyristors) v púzdrach na DPS
1.1.2.3.1. Štandardné tyristory (Standard SCRs) z pôvodnej ponuky IXYS
Prehľad ponúkaných tyristorov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.1.2.3.1.1. Štandardné tyristory diskrétne – jeden tyristor v púzdre
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „CS“ … VRRM = (800 až 2 500) V, ITRMS = (31 až 160) A
… púzdra: TO-220, TO-263, TO-247, TO-268, PLUS247 a ISOPLUS i4-PAC
- „CLA“ … VRRM = (800 a 1 200) V, ITRMS = (8 až 160) A
… púzdra: TO-252, TO-220, TO-263, TO-264, TO-247, TO-268, PLUS247,
ISO247 a ISOPLUS i4-PAC
- „CLB“ … VRRM = 1 200 V, ITRMS = (47 a 63) A
… púzdra: TO-263 a TO-247
1.1.2.3.1.2. Štandardné tyristory – 2 tyristory v púzdre zapojené do série (vetva)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „CLA“ … VRRM = 1 200 V, ITRMS = 63 A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „CMA“ … VRRM = 1 600 V, ITRMS = (47 a 79) A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
1.1.2.3.2. Rýchle fázovo riaditeľné tyristory diskrétne(Fast Phase Control Thyristors)
z pôvodnej ponuky IXYS
Prehľad ponúkaných tyristorov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „CLE“ … VRRM = 1 200 V, ITRMS = (31 až 63) A
… púzdra: TO-220, TO-247 a TO-263
- „CLF“ … VRRM = 1 200 V, ITRMS = 31 A
… púzdro: TO-220
- „CME“ … VRRM = 1 600 V, ITRMS = 47 A
… púzdro: TO-263
- „CNE“ … VRRM = 2 200 V, ITRMS = 94 A
… púzdro: TO-268
1.1.2.3.2. Diskrétne tyristory (Discrete Thyristors) z pôvodnej ponuky Littelfuse
Prehľad ponúkaných tyristorov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-thyristors.aspx.
1.1.2.3.2.1. Štandardné tyristory (Standard SCRs)
- Začiatok označenia typu: „S“, „SK“, „C“, „MCR“, „2N“
- Základné technické údaje:
VRRM = (200 až 1 600) V, ITRMS = (1 až 70) A, IGTmax = 50 mA, tqmax = 35 us,
Top = (-40 až +125) °C
- Púzdra: TO-92, TO-218, TO-220, TO-252 a TO-263
1.1.2.3.2.2. Tyristory so širokým rozsahom pracovnej teploty (High Temperature SCRs)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „SJ“ … VRRM = (400 alebo 600) V, ITRMS = (12 až 40) A, IGTmax = (6 až 40) mA,
… tqmax = (35 až 40) us, Top = (-40 až +150) °C
… púzdra: TO-220, TO-252 a TO-263
1.1.2.3.2.3. Tyristory s rýchlym vypínaním (Low tq SCRs)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „S“ … VRRM = 400 V, ITRMS = 40 A, IGTmax = (35 až 65) mA,
… tqmax = (5 až 15) us, Top = (-40 až +125) °C,
… púzdra: TO-220 a TO-263
1.1.2.3.2.4. Tyristory so širokým rozsahom pracovnej teploty a rýchlym vypínaním (High Temperature Low tq SCRs)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „HS“ … VRRM = 400 V, ITRMS = 40 A, IGTmax = (35 až 65) mA,
… tqmax = (5 až 15) us, Top = (-40 až +150) °C,
… púzdra: TO-220 a TO-263
1.1.2.3.2.5. Tyristory so širokým rozsahom pracovnej teploty a nízkou hodnotou
mriežkového prúdu (High Temperature Sensitive SCRs)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „S“ … VRRM = (200 až 800) V, ITRMS = (0,8 až 4) A, IGTmax = (0,02 až 0,2) mA,
… tqmax = 60 us, Top = (-40 až +150) °C,
… púzdro: SOT-89, SOT-223, TO-202, TO-251 a TO-252
- „SJ“ … VRRM = 600 V, ITRMS = (4 až 10) A, IGTmax = (0,02 až 0,2) mA,
… tqmax = 130 us, Top = (-40 až +150) °C,
… púzdrA: TO-251 a TO-252
1.1.2.3.2.6. Štandardné tyristory s nízkou hodnotou mriežkového prúdu (Standard SCRs & Sensitive)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „S“ … VRRM = (200 až 1 000) V, ITRMS = (6 až 10) A, IGTmax = (0,2 až 0,5) mA,
… tqmax = 50 us, Top = (-40 až +110) °C,
… púzdro: TO-202, TO-220, TO-251 a TO-252
- „TCR“ … VRRM = (400 alebo 600) V, ITRMS = 1,5 A, IGTmax = 0,2 mA,
… tqmax = 50 us, Top = (-40 až +110) °C,
… púzdro: TO-92
1.1.3. Triaky (TRIAC Thyristors)
Prehľad ponúkaných diskrétnych triakov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-thyristors/triac.aspx.
1.1.3.1. Štandardné triaky (Standard TRIACs)
V distribučnej striedavej sieti pracujú v kvadrantoch I - II - III a IV.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „2N“ … VRRM = (200 až 800) V, ITRMS = (4 až 12) A, IGTmax = 75 mA,
… Top = (-40 až +150) °C
… púzdra: TO-220
- „T2“ .… VRRM = (200 alebo 400) V, ITRMS = (2,5 až 8) A,
…. IGTmax = (10 alebo 25) mA, Top = (-40 až +125) °C
…. púzdra: TO-220 a TO-255
- „BTA“ … VRRM = (600 alebo 800) V, ITRMS = (8 až 25) A,
… IGTmax = (10 až 75) mA, Top = (-40 až +125) °C
… púzdra: TO-220
- „BTB“ … VRRM = (600 alebo 800) V, ITRMS = (8 až 16) A,
… IGTmax = (5 až 50) mA, Top = (-40 až +125) °C
… púzdra: TO-220
- „MAC“ … VRRM = (200 až 800) V, ITRMS = (0,8 až 16) A,
… IGTmax = (3 až 50) mA, Top = (-40 až +110) °C
… púzdra: TO-220 a TO-251
1.1.3.2. Triaky typu „Alternistor“ (Alternistor / High Commutation TRIACs)
V štandardnej striedavej sieti sú použiteľné kvadranty I, II a III. Používajú sa hlavne pre riadenie induktívnej záťaže (High Commutation) a LED stmievače (LED dimmer).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „Q“ … VRRM = (200 až 1 000) V, ITRMS = (8 až 40) A, IGTmax = (25 až 100) mA,
… tgt = (3 až 5) us, Top = (-40 až +125) °C
… púzdra: TO-218, TO-220 a TO-263
1.1.3.3. Triaky typu „Alternistor“ so širokým rozsahom pracovnej teploty (High Temperature Alternistor)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „QJ“ … VRRM = (400 až 800) V, ITRMS = (12 až 40) A, IGTmax = (35 až 100) mA,
… tgt = (3 až 9) us, Top = (-40 až +150) °C
… púzdra: TO-218, TO-220 a TO-263
1.1.3.4. Triaky s nízkou hodnotou mriežkového prúdu (Sensitive TRIACs)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „L“ … VRRM = (200 až 600) V, ITRMS = (0,8 až 8) A, IGTmax = (3 až 20) mA,
… tqtyp = 3 us, Top = (-40 až +110) °C,
… púzdro: TO-92, TO-202, TO-220, TO-251 a TO-252
1.1.3.5. Triaky typu „Alternistor“ so širokým rozsahom pracovnej teploty a nízkou hod-
notou mriežkového prúdu (High Temperature Sensitive & Alternistor TRIACs).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „LJ“ … VRRM = (400 až 600) V, ITRMS = (4 až 8) A, IGTmax = (10 až 50) mA,
… tqtyp = (10 až 15) us, Top = (-40 až +150) °C,
… púzdro: TO-251 a TO-252
1.1.4. MOSFETy diskrétne
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitors Discrete)
Kompletnú ponuku diskrétnych MOSFETov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-mosfets.aspx.
Ďalej stručne predstavíme ponuku len výkonových MOSFETov (Power MOSFETs). Teda budú to diskrétne výkonové MOSFETy s čipmi na báze Si, N-kanál, ktoré majú vlastnú/vnútornú rýchlu diódu (Fast Intrinsic Diode).
1.1.4.1. Výkonové MOSFETy, N-kanál (Power MOSFETs N-Channel)
1.1.4.1.1. Štandardné výkonové MOSFETy (N-Channel Standard Power MOSFETs)
1.1.4.1.1.1. MOSFETy rad „Polar™“ (Polar™ Series N-Channel Standard Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXT“ … VDSS = (100 až 1 200) V, IDcont = (4 až 8) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0075 až 75) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (100 až 1 600) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268, TO-3P a
ISOPLUS247
1.1.4.1.1.2. MOSFETy rad „Polar2™“ (Polar2™ Series N-Channel Standard Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXT“ … VDSS = 500 V, IDcont = (16 až 52) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,120 až 0,330) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = 400 ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263 a TO-3P
1.1.4.1.1.3. MOSFETy rad „Polar3™“ (Polar3™ Series N-Channel Standard Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXT“ … VDSS = (2 000 až 3 000) V, IDcont = (0,4 až 6) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (4,0 až 190) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (400 až 2 300) ns
… púzdra: TO-247, TO-263, TO-268 a ISOPLUS i4-PAC
1.1.4.1.1.4. Vysokonapäťové MOSFETy rad „High Voltage“ (High Voltage Series N-Channel Standard Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXT“ … VDSS = (100 až 1 500) V, IDcont = (0,1 až 75,0) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,020 až 9,20) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (300 až 1 500) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-251, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268,
TO-3P, ISO247 a PLUS247
1.1.4.1.1.5. Veľmi vysokonapäťové MOSFETy rad „Very High Voltage“ (Very High Voltage Series N-Channel Standard Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXT“ … VDSS = (2 500 až 4 700) V, IDcont = (0,20 až 5,00) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (8,8 až 625,0) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (660 až 2 500) ns
… púzdra: TO-247, TO-263, TO-264, TO-268, PLUS247, ISOPLUS i4-PAC,
ISOPLUS i5-PAC a SOT-227
1.1.4.1.2. Výkonové MOSFETy rad „HiPerFETs“ (N-Channel HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-hiperfets.aspx.
1.1.4.1.2.1. Štandardné MOSFETy (Standard Series - HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (60 až 1 200) V, IDcont = (3,0 až 340) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,003 až 4 500) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = (150 až 300) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263, TO-264, TO-268, PLUS247, PLUS264
a SOT-227
1.1.4.1.2.2. MOSFETy rad „Polar™“ („Polar™“ Series - HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (100 až 1 200) V, IDcont = (0,7 až 300) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0055 až 17,0) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = (150 až 300) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263, TO-264, TO-3P, ISO247, PLUS247,
PLUS264, ISOPLUDS i5-PAC a SOT-227
1.1.4.1.2.3. MOSFETy rad „Polar2™“ („Polar2™“ Series - HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = 500 V, IDcont = (24 až 120) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,043 až 0,27) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = (200 až 300) ns
… púzdra: TO-247, TO-264, TO-268, TO-3P, PLUS247, PLUS264 a SOT-227
1.1.4.1.2.3. MOSFETy rad „Polar3™“ („Polar3™“ Series - HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (300 až 600) V, IDcont = (4 až 210) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0145 až 2,40) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = 250 ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268, TO-3P,
ISO247, PLUS247, PLUS264 a SOT-227
1.1.4.1.2.3. MOSFETy rad „Q3-Class“ („Q3-Class“ Series - HiPerFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (200 až 1 100) V, IDcont = (10 až 100) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,040 až 1,20) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = (250 a 300) ns
… púzdra: TO-247, TO-264, TO-268, PLUS247, PLUS264 a SOT-227
1.1.4.1.3. Výkonové Trench Gate MOSFETy
(N-Channel Trench Gate MOSFETs with HiPerFET Options)
Prehľad ponúkaných MOSFETov je možné nájsť cez tento link:
1.1.4.1.3.1. MOSFETy Trench Gate, rad „Gen1“ (Gen1 Series Trench Gate MOSFETs with HiPerFET Options)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (55 až 300) V, IDcont = (12 až 420) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0023 až 0,085) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,max = (130 až 200) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-251, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268,
TO-3P, PLUS220, PLUS247, ISOPLUS220, ISOPLUS i4-PAC,
ISOPLUS i5-PAC a SOT-227
1.1.4.1.3.2. MOSFETy Trench Gate, rad „Gen2“ (Gen2 Series Trench Gate MOSFETs with HiPerFET Options)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (40 až 175) V, IDcont = (70 až 600) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0010 až 0,022) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (34 až 100) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268,
PLUS247 a SOT-227
1.1.4.1.3.3. MOSFETy Trench Gate, rad „Gen3“ (Gen3 Series Trench Gate MOSFETs with HiPerFET Options)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = 60 V, IDcont = (220 a 270) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,0031 a 0,0040) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (38 a 47) ns
… púzdra: TO-220, TO-247 a TO-263
1.1.4.1.3.4. MOSFETy Trench Gate, rad „Gen4“ (Gen4 Series Trench Gate MOSFETs with HiPerFET Options)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXF“ … VDSS = (36 a 40) V, IDcont = (230 až 660) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,00085 až 0,0029) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (32 až 72) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263, TO-268 a SOT-227
1.1.4.1.5. Výkonové MOSFETy „CoolMOS™“ (N-Channel Super Junction)
Prehľad ponúkaných MOSFETov je možné nájsť cez tento link:
1.1.4.1.4.1. MOSFETy rad „C3-Class“ (C3-Class Series N-Channel Super Junction Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXK“ … VDSS = (600 a 800) V, IDcont = (15 až 85) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,036 až 0,190) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (110 až 580) ns
… púzdra: TO-247, TO-264, TO-268, PLUS247, ISOPLUS220,
ISOPLUS i4-PAC a SOT-227
1.1.4.1.4.2. MOSFETy rad „C5-Class“ (C5-Class Series N-Channel Super Junction Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXK“ … VDSS = 600 V, IDcont = (15 až 70) A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = (0,045 až 0,200) Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = (340 až 600) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-268, PLUS247, ISOPLUS220 a
ISOPLUS264
1.1.4.1.4.3. MOSFETy rad „CFD-Class“ (CFD-Class Series N-Channel Super Junction Power MOSFETs)
Prehľad ponúkaných MOSFETov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MKH“ … VDSS = 650 V, IDcont = 25 A @ Tc = 25 °C,
… RDS(on) = 0,08 Ohm @ Tc = 25 °C, trr,typ = 180 ns
… púzdro: TO-247
1.1.5. IGBTy diskrétne (Insulated Gate Bipolar Transistors Discrete)
Kompletnú ponuku diskrétnych IGBTov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts.aspx.
1.1.5.1. Výkonové IGBTy v púzdrach tableta (High Power IGBTs, Capsule Types)
Prehľad ponúkaných IGBTov, vrátane základných informácií, katalógových listov a budiacich jednotiek (IGBT Gate Drive Units), je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/high-power-igbts.aspx.
Tieto súčiastky v danom púzdre majú alebo nemajú antiparalelnú diódu radu „High Po-wer Sonic Diodes“, ktoré sú optimalizované pre túto spoluprácu.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „T0“ … VCESmax = (1 700 až 6 500) V, ICmax = (115 až 960) A
… púzdra: W40, W41, W44, W67, W95, W96, W98 a W109
- „T1“ … VCESmax = (1 700 až 6 500) V, ICmax = (1 000 až 1 890) A
… púzdra: W41, W44, W45, W67, W96 a W103
- „T2“ … VCESmax = (2 500 až 4 500) V, ICmax = (2 000 až 3 000) A
… púzdra: W45, W71 a W110
1.1.5.2. Diskrétne IGBTy v púzdrach na DPS
1.1.5.2.1. IGBTy XPT™ (Xtreme light Punch Through)
Sú to IGBTy s vlastnou skratovou odolnosťou 10 us a kladným tepelným koeficientom pre Vce(sat), čo umožňuje ich paralelné zapojenie. A preto sú doporučené hlavne pre meniče v pohonoch s elektromotormi.
Prehľad ponúkaných IGBTov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/xpt.aspx.
1.1.5.2.1.1. IGBTy XPT™, rad Planar
Tieto IGBTy majú veľmi rýchle (Ultra Fast) antiparalelné diódy a sú optimalizované pre spínacie frekvencie (20 až 60) kHz.
Prehľad ponúkaných IGBTov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/xpt.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXX“ … VCES = 600 V, IC = (33 až 550) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,6 až 2,5) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (32 až 150) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-3P, TO-263, TO-264, PLUS247 a SOT-227
- „IXY“ … VCES = 650 V, IC = (15 až 600) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,6 až 2,8) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (20 až 160) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-3P, TO-263, TO-264, TO-268, PLUS247
a SOT-227
- „IXY“ … VCES = 900 V, IC = (20 až 310) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (2,5 až 3,0) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (86 až 130) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268, PLUS247
a SOT-227
- „IXY“ … VCES = 1 200 V, IC = (9 až 320) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,8 až 3,5) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (43 až 260) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-268, PLUS247, PLUS264
a SOT-227
1.1.5.2.1.2. IGBTy XPT™, rad Trench
Tieto IGBTy majú nízke VCE(sat) s kladným teplotným koeficientom, veľmi rýchle (Ultra Fast) antiparalelné diódy a sú optimalizované pre vysoké spínacie frekvencie - až do 60 kHz.
Prehľad ponúkaných IGBTov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/xpt/trench.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXX“ … VCES = 650 V, IC = (38 až 520) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,7 až 2,5) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (27 až 104) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-264, PLUS247 a SOT-227
- „IXX“ … VCES = 750 V, IC = 240 A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = 2,1 V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = 110 ns
… púzdra: TO-264 a PLUS247
- „IXY“ … VCES = 1 000 V, IC = (76 a 85) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,9 a 2,3) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (40 a 125) ns
… púzdra: TO-220 a TO-263
- „IXY“ … VCES = 1 200 V, IC = (68 až 300) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (1,8 až 2,5) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (53 až 220) ns
… púzdra: TO-220, TO-247, TO-263 a TO-268
1.1.5.2.1.3. IGBTy XPT™, rad High Voltage
Tieto IGBTy majú nízke VCE(sat) s kladným teplotným koeficientom. Prehľad ponúkaných IGBTov, vrátane základných informácií a katalógových listov je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-igbts/xpt/high-voltage.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „IXY“ … VCES = 1 700 V, IC = (36 až 178) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (3,7 až 4,1) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (70 až 120) ns
… púzdra: TO-247, TO-264, PLUS247, ISOPLUS i4-PAC, ISOPLUS i5-PAC
a SOT-227
- „IXY“ … VCES = 2 500 V, IC = (26 až 154) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (4,0 až 4,5) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = (86 až 250) ns
… púzdra: TO-247, TO-263, TO-268, PLUS247, ISOPLUS i4-PAC
a ISOPLUS i5-PAC
- „IXY“ … VCES = 4 500 V, IC = (23 až 95) A @ Tc = 25 °C,
… VCE(sat),(typ) = (3,3 až 3,9) V @ Tc = 25 °C, tfi(typ) = ( - ) ns
… púzdra: TO-247, TO-268, ISOPLUS i4-PAC a ISOPLUS i5-PAC
1.2. Moduly
1.2.1. Diódové moduly (Diode Modules)
1.2.1.1. Diódové moduly z pôvodnej ponuky IXYS
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.1.1.1. Moduly s diódami usmerňovacími (Diode Modules)
1.2.1.1.1.1. Jedna dióda v púzdre (Single Diode Modules)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MDO“ … VRRM = (1 200 až 2 200) V, IFAV = 560 A @ Tc = 85 °C, púzdro Y1
- „MDO“ … VRRM = 1 600 V, IFAV = 608 A @ Tc = 85 °C, púzdro Y1
- „MDO“ … VRRM = (1 400 až 2 200) V, IFAV = 1 520 A @ Tc = 85 °C, púzdro W73
1.2.1.1.1.2. Dve diódy v púzdre (Dual Diode Modules), sú zapojené do série (vetva)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MDD“ … VRRM = (800 až 3 400) V, IFAV = (36 až 310) A @ Tc = 100 °C
… púzdra: TO-240AA, Y1, Y2 a Y4
- „MDMA“ … VRRM = (1 200 až 1 800) V, IFAV = (25 až 700) A @ Tc = 100 °C
… púzdra: TO-240AA, Y1, Y2, Y4, SimBus A, SimBus F a ComPack
- „MDNA“ … VRRM = 2 200 V, IFAV = (25 až 700) A @ Tc = 100 °C
… púzdra: TO-240AA, Y1, Y2, Y4, SimBus F a ComPack
1.2.1.1.1.3. Usmerňovacie mostíky so štandardnými diódami
Prehľad ponúkaných mostíkov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.1.1.1.3.1. Jednofázové usmerňovacie mostíky (1~ Rectifier Bridges)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VBO“ … VRRM = (800 až 1 800) V, IDAVM = (18 až 160) A
… púzdra: FO-A,B; ECO-PAC 1,2; PWS-A,B,C,D,E a SOT-227
- „FBO“ … VRRM = 1 200 V, IDAVM = (20 a 40) A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „GBO“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, IDAVM = 25 A
… púzdro: GBFP
- „DLA“ … VRRM = (800 alebo 1 200) V, IDAVM = 124 A
… púzdro: SMPD-B
- „DMA“ … VRRM = 800 V, IDAVM = 130 A
… púzdro: SMPD-B
1.2.1.1.1.3.2. Trojfázové usmerňovacie mostíky (3~ Rectifier Bridges)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VUO“ … VRRM = (800 až 2 200) V, IDAVM = (20 až 240) A
… púzdra: FO-B; FO-F-B; ECO-PAC 1,2; PWS-A,B,C,D,E; V1-A-Pack;
V2-Pack a E2-Pack
- „FUO“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, IDAVM = (30 alebo 50) A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „GUO“ … VRRM = (800 až 1 600) V, IDAVM = 40 A
… púzdro: GUFP
- „DMA“ … VRRM = (1 600 alebo 1 800) V, IDAVM = (40 až 240) A
… púzdra: GUFP, SMPD-B a SOT-227
- „DNA“ … VRRM = 2 200 V, IDAVM = (40 až 90) A
… púzdra: GUFP, SMPD-B a SOT-227
- „MDMA“ … VRRM = 1 600 V, IDAVM = (500 až 900) A
… púzdro: E3-Pack PFP
- „MDNA“ … VRRM = 2 200 V, IDAVM = (240 alebo 660) A
… púzdra: E2-Pack a E3-Pack PFP
1.2.1.1.1.3.3. Trojfázové usmerňovacie mostíky (3~ Rectifier Bridges) s IGBT a rýchlou diódou (FRD) pre brzdenie (Brake Unit)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VUB“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600 alebo 2 200) V, IDAVM = (75 až 180) A
… púzdra: V1-A-Pack, V2-Pack a E2-Pack
- „MDMA“ … VRRM = 1 600 V, IDAVM = (210 až 450) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: E2-Pack a E2-Pack PFP
- „MDNA“ … VRRM = 2 200 V, IDAVM = (210 až 360) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: E2-Pack PFP
1.2.1.1.2. Moduly s diódami rýchlymi (FRED a HiPerFRED Modules)
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.1.1.2.1. Jedna dióda FRED v púzdre (Single FRED Modules)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MEO“ … VRRM = (200, 600 alebo 1 200) V, IFAV = (453 až 582) A @ Tc = 75 °C
… púzdro: Y4
1.2.1.1.2.2. Dve diódy FRED v púzdre (Dual FRED Modules)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje, zapojenie diód a púzdra:
- „MEE“ … VRRM = (2 x 600 alebo 1 200) V, IFAV = (75 až 304) A @ Tc = 75 °C
… zapojenie: do série (vetva), púzdra: TO-240, Y4
- „MEA“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 75 až 304) A @ Tc = 75 °C
… zapojenie: spoločné anódy, púzdra: TO-240, Y4
- „MEK“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IFAV = (2 x 75 až 304) A @ Tc = 75 °C
… zapojenie: spoločné katódy, púzdra: TO-240, Y4
1.2.1.1.2.3. Dve diódy HiPerFRED v púzdre (Dual HiPerFRED Modules)
Diódy majú spojené katódy.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MEK“ … VRRM = 400 V, IFAV = (2 x 150 alebo 575) A @ Tc = 75 °C
… púzdra: TO-240, Y4
- „MPK“ … VRRM = 600 V, IFAV = (2 x 95) A @ Tc = 75 °C
… púzdro: TO-240
1.2.1.1.2.4. Usmerňovacie mostíky s rýchlymi diódami
Prehľad ponúkaných mostíkov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.1.1.2.4.1. Jednofázové usmerňovacie mostíky (1~ Rectifier Bridges with FRD)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VBE“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IDAVM = (19 až 100) A
… púzdra: ECO-PAC 1,2 a SOT-227
- „FBE“ … VRRM = 600 V, IDAVM = 22 A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „DHG“ … VRRM = 1 200 V, IDAVM = 34 A
… púzdro: SMPD-B
- „DPG“ … VRRM = 600 V, IDAVM = 60 A
… púzdro: SMPD-B
1.2.1.1.2.4.2. Trojfázové usmerňovacie mostíky (3~ Rectifier Bridges with FRD)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VUE“ … VRRM = (600 alebo 1 200) V, IDAVM = (24 až 130) A
… púzdra: ECO-PAC 1,2 a V1-A-Pack
- „FUE“ … VRRM = 1 200 V, IDAVM = 30 A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „FUS“ … VRRM = 45 V, IDAVM = 45 A
… púzdro: ISOPLUS i4-PAC
- „DHG“ … VRRM = 1 200 V, IDAVM = 60 A
… púzdro: SMPD-B
1.2.1.2. Diódové moduly z pôvodnej ponuky Littelfuse
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/diode-modules.aspx.
1.2.1.2.1. Moduly s diódami usmerňovacími (Diode Modules)
1.2.1.2.1.1. Jedna dióda v púzdre (Single Diode Modules)
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/diode-modules/single-and-dual/single.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MDO“ … VRRM = (2 400 a 2 800) V, IFAV = 1 320 A @ Tc = 85 °C, púzdro W73
- „MDO“ … VRRM = (1 400 až 2 200) V, IFAV = 1 520 A @ Tc = 85 °C, púzdro W73
- „W85“ … VRRM = (1 800 a 2 200) V, IFAV = 2 830 A @ Tc = 85 °C, púzdro W116
- „W98“ … VRRM = (1 200 a 1 500) V, IFAV = 3 345 A @ Tc = 85 °C, púzdro W116
1.2.1.2.1.2. Dve diódy v púzdre (Dual Diode Modules)
Diódy sú zapojené do série, alebo so spoločnými anódami, alebo so spoloč. katódami.
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/diode-modules/rectifiers.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MD“ … VRRM = (1 600 alebo 1 800) V, IFAV = (90 alebo 110) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: A alebo S
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/diode-modules/single-and-dual/dual.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje, zapojenie a púzdro:
- „MDD“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, IFAVM = (290 až 1 080) A @ Tc = 85 °C
… zapojenie: do série (vetva), púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MDA“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, IFAVM = (290 až 1 080) A @ Tc = 85 °C
… zapojenie: so spoločnými anódami, púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MDK“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, IFAVM = (290 až 1 080) A @ Tc = 85 °C
… zapojenie: so spoločnými katódami, púzdra: W63, W74, W88 a W102
1.2.1.2.1.3. Vodou chladené dve diódy (Water Cooled Diodes)
Diódy sú zapojené do série, alebo so spoločnými anódami, alebo so spoloč. katódami.
Prehľad ponúkaných diódových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/diode-modules/water-cooled-modules.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MDD“ … VRRM = (1 400 až 2 200) V, IFAVM = 950 A @ Tv = 45 °C, 4 l/min
… zapojenie: do série (vetva), púzdro: W64
- „MDA“ … VRRM = (1 400 až 2 200) V, IFAVM = 950 A @ Tv = 45 °C, 4 l/min
… zapojenie: so spoločnými anódami, púzdro: W64
- „MDK“ … VRRM = (1 400 až 2 200) V, IFAVM = 950 A @ Tv = 45 °C, 4 l/min
… zapojenie: so spoločnými katódami, púzdro: W64
1.2.2. Tyristorové moduly (Thyristor Modules)
1.2.2.1. Tyristorové moduly z pôvodnej ponuky IXYS
Prehľad ponúkaných tyristorových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.2.1.1. Moduly s jedným tyristorom v púzdre (Single Thyristor Modules)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCO“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, ITAV = (32 až 158) A @ Tc = 80 °C
… púzdro: SOT-227
- „MCO“ … VRRM = (1 200 až 2 200) V, ITAV = (464 až 600) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: Y1
- „MCO“ … VRRM = (1 400 až 3 600) V, ITAV = (560 až 830) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W73
- „VCO“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, ITAV = 130 A @ Tc = 85 °C alebo
IFAV = 180 A @ Tc = 90 °C
… púzdro: ECO-PAC 2
1.2.2.1.2. Moduly s dvom tyristormi v púzdre (Dual Thyristor Modules)
1.2.2.1.2.1. Tyristory sú zapojené do série (vetva).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCC“ … VRRM = (800 alebo 2 400) V, ITAV = (18 až 320) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y1, Y2 a Y4
- „MCC“ … VRRM = (1 200 alebo 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MCMA“ … VRRM = (1 200 až 1 800) V, ITAV = (25 až 700) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y1, Y4, V1-A-Pack, SimBus A, SimBus F PFP
a ComPack
- „MCNA“ … VRRM = 2 200 V, ITAV = (40 až 650) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y4, SimBus F PFP a ComPack
1.2.2.1.2.2. Tyristory sú zapojené do série (vetva).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCR“ … VRRM = (1 400 alebo 3 600) V, ITAV = (500 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W88
1.2.2.1.2.3. Tyristory sú zapojené so spoločnými anódami
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCA“ … VRRM = (1 200 alebo 2 200) V, ITAV = (545 až 550) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W63
1.2.2.1.2.4. Tyristory sú zapojené so spoločnými katódami
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCK“ … VRRM = (1 200 až 2 200) V, ITAV = (545 až 550) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63
1.2.2.1.3. Tyristorové trojfázové mostíky ( 3~ Rectifier Bridges with thyristors)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VTO“ … VRRM = (800 alebo 1 200) V, IdAV = 39 A @ Tc = 85 °C
… púzdro: ECO-PAC 1
1.2.2.1.4. Tyristorové AC spínače (AC Controller)
Sú to riadené spínače striedavého prúdu s dvojicami tyristorov zapojenými antiparalelne.
1.2.2.1.4.1. Jednofázové AC spínače (1~ AC Controller)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MMO“ … VRRM = (1 200 až 1 600) V, IRMS = (66 až 230) A
… púzdra: ECO-PAC 1, 2 a SOT-227
- „CLA“ … VRRM = 1 200 V, IRMS = 110 A
… púzdro: SOT-227
- „MS“ … VRRM = 600 V, IRMS = 90 A
… púzdro: SOT-227
Podrobnejšie informácie k modulu „MS“, vrátane katalógových listov, je možné nájsť na https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/thyristor-modules/ac-switches/ms0690j-dl1te.aspx.
1.2.2.1.4.2. Dvojfázové AC spínače (2~ AC Controller)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VW“ … VRRM = (1 200 až 1 600) V, IRMS = (2 x 60) A
… púzdro: V1-A-Pack
1.2.2.1.4.3. Trojfázové AC spínače (3~ AC Controller)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „VWO“ … VRRM = (800 alebo 1 200) V, IRMS = (3 x 35) A
… púzdro: ECO-PAC 1
1.2.2.2. Tyristorové moduly z pôvodnej ponuky Littelfuse
Prehľad ponúkaných tyristorových modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/thyristor-modules/single-and-dual.aspx.
1.2.2.2.1. Moduly s jedným tyristorom v púzdre (Single Thyristor Modules)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCO“ … VRRM = (1 400 až 3 600) V, ITAV = (560 až 830) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W73
- „N43“ … VRRM = (1 800 alebo 2 200) V, ITAV = 1 110 A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W116
1.2.2.2.2. Moduly s dvom tyristormi v púzdre (Dual Thyristor Modules)
1.2.2.2.2.1. Tyristory sú zapojené do série (vetva).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCC“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MCR“ … VRRM = (1 400 až 3 600) V, ITAV = (500 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W88
1.2.2.2.2.2. Tyristory sú zapojené so spoločnými anódami
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCA“ … VRRM = (1 200 až 2 200) V, ITAV = (500 alebo 550) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W63
1.2.2.2.2.3. Tyristory sú zapojené so spoločnými katódami
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCK“ … VRRM = (1 200 až 2 200) V, ITAV = (500 alebo 550) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: W63
1.2.3. Moduly tyristor/dióda (Thyristor/Diode Modules)
Sú to moduly s fázovo riaditeľnými tyristormi a usmerňovacími diódami.
1.2.3.1. Moduly z pôvodnej ponuky IXYS
Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.3.1.1. Dióda a tyristor sú zapojené do série / vetva (Phase Leg)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCD“ … VRRM = (800 až 2 200) V, ITAV = (27 až 320) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y1, Y2 a Y4
- „MCMA“ … VRRM = (1 200 až 1 800) V, ITAV = (25 až 700) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y1, Y4, SimBus A, SimBus F PFP a ComPack
- „MCNA“ … VRRM = 2 200 V, ITAV = (40 až 650) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: TO-240, Y4, SimBus F PFP a ComPack
- „CLA“ … VRRM = 1 200 V, ITAV = 60 A @ Tc = 100 °C alebo 100 A @ Tc = 85 °C
… púzdro: SOT-227
- „CMA“ … VRRM = 1 600 V, ITAV = 80 A @ Tc = 80 °C
… púzdro: SOT-227
1.2.3.1.2. Dióda a tyristor (MCD) / tyristor a dióda (MDC) sú zapojené do série (vetva).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCD“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MDC“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
1.2.3.1.3. Dióda a tyristor (MCD) / tyristor a dióda (MDC) sú zapojené do série (vetva).
Prehľad ďalších ponúkaných modulov, vrátane základných informácií, je možné nájsť cez tento link:
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdra:
- „MCD“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
- „MDC“ … VRRM = (1 200 až 3 600) V, ITAV = (170 až 719) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: W63, W74, W88 a W102
1.2.3.1.4. Poloriadené mostíky (Half Controlled Rectifier Bridges - HCRB)
Sú v nich zapojené diódy aj tyristory. Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
1.2.3.1.4.1. Jednofázové poloriadené mostíky (1~ HCRB)
1.2.3.1.4.1.1. Mostík s dvoma tyristormi a dvoma diódami
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „VGO“ … VRRM = 1 600 V, IdAV = 36 A @ Tc = 85 °C
… púzdro: ECO-PAC 1
1.2.3.1.4.1.2. Mostíky s aj nulovou diódou (Free wheeling diode)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „VHF“ … VRRM = (800 až 1 600) V, IdAV = (15 až 36) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: ECO-PAC 1
- „VHFD“ … VRRM = (800 až 1 600) V, IdAV = (16 až 36) A @ Tc = 85 °C
… púzdro: V1-A-Pack
1.2.3.1.4.2. Trojfázové poloriadené mostíky (3~ HCRB)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „VVZ“ … VRRM = (800 až 1 600) V, IdAV = (39 až 167) A @ Tc = 85 °C
… púzdra: ECO-PAC 1, V1-B-Pack a PWS-E
- „CLE“ … VRRM = 1 200 V, IdAV = 90 A @ Tc = 90 °C
… púzdro: SMPD-B
- „MCMA“ … VRRM = 1 600 V, IdAV = 450 A @ Tc = 90 °C
… púzdro: E3-Pack
- „MCMA“ … VRRM = 1 800 V, IdAV = 117 A @ Tc = 80 °C
… s nulovou diódou (free wheeling diode)
… púzdro: E2-Pack
1.2.3.1.5. Trojfázové diódové mostíky so „Softstart“ tyristorom
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „VUC“ … VRRM = (1 200 alebo 1 600) V, IdAV = 34 A @ Tc = 85 °C
… púzdro: V1-B-Pack
- „MDMA“ … VRRM = 1 600 V, IdAV = 60 A @ Tc = 110 °C
… púzdro: V1-B-Pack
1.2.4. Moduly IGBTové (IGBT Modules)
1.2.4.1. Moduly z pôvodnej ponuky IXYS
Pôvodná ponuka IGBT modulov IXYS je pomerne široká, hlavne vnútornými zapojenia-mi (configurations). Sú použité čipy „XPT IGBT“ a „Sonic diode“. IGBTy majú nízke saturačné napätie s kladným teplotným koeficientom a preto sú vhod-né pre paralelné radenie. Vlastnosti IGBTov a diód dovoľujú ich použiť pre rýchle spínanie.
Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
V ďalšom si stručne predstavíme moduly, ktorých hlavný spínač bude tvoriť prvok IGBT a antiparalelná dióda. A rôzne vnútorné zapojenie týchto spínačov tvorí základ pomerne
širokej ponuky modulov. My si teraz stručne predstavíme ponuku IGBT modulov, v kto-rých budú dominantné nasledovné vnútorné zapojenia spínačov:
- dva spínače sú zapojené do série / vetva (Phase-Leg)
- šesť spínačov je zapojených do trojfázového mostíka (Six-Pack)
1.2.4.1.1. Moduly s dvoma spínačmi zapojenými do série / vetva (Phase Leg)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MIXA“ … VCES = (2 x 650) V, IC80 = 490 A, VCE(sat) = 1,65 V
… púzdro: SimBus F
- „MIXD“ … VCES = (2 x 650) V, IC80 = 520 A, VCE(sat) = 1,55 V
… púzdro: SimBus F
- „MIXA“ … VCES = (2 x 1 200) V, IC80 = (250 až 450) A, VCE(sat) = 1,8 V
… púzdro: SimBus F
1.2.4.1.2. Moduly so šesť spínačmi zapojenými do trojfázového mostíka (Six-Pack)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MIXD“ … VCES = (2 x 650) V, IC80 = (54 alebo 210) A, VCE(sat) = (1,55 al. 1,5) V
… púzdro: E2-Pack a E3-Pack
- „MIXA“ … VCES = (2 x 1 200) V, IC80 = (12 až 150) A, VCE(sat) = 1,8 V
… púzdro: E1-Pack, E2-Pack a E3-Pack
- „MIXG“ … VCES = (2 x 1 200) V, IC80 = (140 až 280) A, VCE(sat) = 1,7 V
… púzdro: E3-Pack
1.2.4.1.3. Moduly so zapojením CBI (Converter/Brake/Inverter)
Tieto moduly obsahujú kompletnú časť výkonových obvodov, ktoré používajú frekven-čné meniče pre motory menších výkonov. Ide o nasledovné výkonové obvody:
- Converter (usmerňovač) – trojfázový neriadený alebo poloriadený ... C
- Brake (brzdový spínač) – používa sa pri brzdení motora do odporníka … B
- Inverter (striedač) – šesť spínačov, sú zapojené do trojfázového mostíka (Six-Pack) … I
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MUBW“ … C / trojfázový neriadený usmerňovač
… C / VRRM = 1 600 V, B / VCES = I / VCES = (600 alebo 1 200) V
… C / IdAVM80 = (18 až 180) A, B / IC80 = (15 až 35) A,
I / IC80 = (15 až 75) A
… púzdro: E1-Pack, E2-Pack, E3-Pack
- „MUBW“ … C / trojfázový neriadený usmerňovač
… C / VRRM = 2 200 V, B / VCES = I / VCES = 1 700 V
… C / IdAVM80 = (130 alebo 155) A, B / IC80 = 34 A,
I / IC80 = (53 alebo 80) A
… púzdro: E3-Pack
- „MITA“ … C / trojfázový neriadený usmerňovač
… C / VRRM = 1 600 V, B / VCES = I / VCES = 1 200 V
… C / IdAVM80 = (61 al. 89) A, B / IC80 = I / IC80 = (12 až 27) A
… púzdro: MiniPack 2
- „MITB“ … C / trojfázový neriadený usmerňovač
… C / VRRM = 1 600 V, B / VCES = I / VCES = 1 200 V
… C / IdAVM80 = 61 A, B / IC80 = (12 al. 20) A, I / IC80 = (12 al. 20) A
… púzdro: MiniPack 2
1.2.4.1.4. Moduly so štyrmi spínačmi zapojenými v mostíku (Full Bridge)
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MKI“ … VCES = (600 alebo 1 200) V, IC80 = (45 až 85) A, IF80 = (67 až 130) A
… púzdro: E1-Pack, E2, E3
- „MIEB“ … VCES = 1 200 V, IC80 = 128 A, IF80 = 90 A
… púzdro: E3-Pack
- „MITA“ … VCES = 1 700 V, IC80 = 145 A, IF80 = 120 A
… púzdro: E3-Pack
1.2.4.1.4. Moduly s rôznymi zapojeniami IGBT spínača a veľmi rýchlej diódy.
Tieto zapojenia sú základom výkonových obvodov pre impulzné meniče (choppers). Často sú to meniče zvyšovacie (boost choppers) alebo znižovacie (buck choppers).
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MIXA“ … VCES = 1 200 V, IC80 = (60 alebo 175) A, IF80 = (59 alebo 130) A
… púzdro: V1-A-Pack
- „MDI“ … VCES = 1 200 V, IC80 = IF80 = (60 až 460) A
… púzdro: Y3 a Y4
- „MID“ … VCES = 1 200 V, IC80 = IF80 = (60 až 460) A
… púzdro: Y3 a Y4
1.2.4.2. Moduly z pôvodnej ponuky Littelfuse
Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/igbt-modules.aspx.
1.2.4.2.1. Štandardné IGBT moduly (Standard IGBT Modules)
Každý z týchto modulov obsahuje dve dvojice prvkov IGBT a antiparalelnej diódy, ktoré sú zapojené do série / vetva (Phase Leg). IGBTy majú veľmi nízke straty, vysokú skratovú odolnosť do 10 us a VCE(sat) s kladným teplotným koeficientom.
Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/igbt-modules/standard.aspx.
Začiatok označenia typu, základné technické údaje a púzdro:
- „MG06“ … VCES = (2 x 600) V, IC25 = (100 až 700) A, VCE(sat) = (1,45 al. 1,9) V
… púzdro: S, D a WB
- „MG12“ … VCES = (2 x 1 200) V, IC25 = (25 až 750) A, VCE(sat) = (1,7 až 1,9) V
… púzdro: S, D, H, W a WB
- „MG17“ … VCES = (2 x 1 700) V, IC25 = (75 až 600) A, VCE(sat) = 2,0 V
… púzdro: S, D a WB
1.2.5. Moduly MOSFETové (MOSFET Modules)
1.2.5.1. Moduly z pôvodnej ponuky IXYS
Pôvodná ponuka MOSFET modulov IXYS je pomerne široká, hlavne vnútornými zapoje-niami (configurations). Sú použité čipy s technológiou „HiPerFET“ a „Polar“. Prehľad ponúkaných modulov, vrátane základných informácií a katalógových listov, je možné nájsť cez tento link: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/ixys-power-semiconductors-and-ics.aspx.
V aktuálnej ponuke „Littelfuse“ je ešte dosť elektronických súčiastok zaujímavých pre výkonovú elektroniku. Predpokladám, že by sa dala táto informácia rozšíriť ešte o asi 10 strán.