SEMIKRON - 3 Q service, spol. s r.o.

SEMIKRON je spoločnosť, ktorú založil Dr. Martin v r. 1951 a jej sídlo je v nemec-kom Norimberku. Jej hlavné zameranie je na vývoj a výrobu výkonových polovodičo-vých súčiastky. V tejto oblasti patrí medzi popredných svetových výrobcov a výrobné závody má v Európe, Ázii, USA a Južnej Amerike. Hlavným výrobným programom sú výkonové moduly s čipmi na báze Si, ktoré obsahujú diódy, tyristory, IGBTy a MOSFETy. Ale vyrába aj diskrétne diódy a tyristory. V ponuke má aj moduly s čipmi na báze SiC. Okrem uvedených modulov a diskrétnych prvkov má v ponuke aj „systémy“.

Na stránke výrobcu: https://www.semikron.com/ je možné si pozrieť celý ponúkaný sortiment a aj výrobcom doporučené nasledovné hlavné aplikačné oblasti/odvetvia:

APLIKAČNÉ OBLASTI

meniče pre pohony s elektrickými motormi
meniče pre fotovoltické elektrárne, veterné elektrárne a úložiská energie
elektromobily a nabíjacie stanice
diagnostické prístroje a výkonové zdroje pre zdravotníctvo

Ďalej stručne predstavíme náš výber z ponuky spoločnosti SEMIKRON a rozdelíme ju do týchto hlavných skupín:

Diskrétne prvky s čipmi Si
Moduly s čipmi Si
Moduly s čipmi SiC
Nové výrobky

1. Diskrétne prvky s čipmi na báze Si

Do tejto skupiny SEMIKRON zaradil diódy, tyristory a čipy. Ďalej stručne predstavíme len diódy a tyristory.

1.1. Diódy

Podrobnejšie informácie TU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/discretes/diodes.html

Do tejto skupiny patria diódy:

* Usmerňovacie (štandardné) - Standard Recovery
- púzdro – so skrutkou (Stud Screw Fit) ............. E8 / M6 až E45 / M16 x 1,5 mm
- základné elektrické parametre – (400 až 3 000) V, (20 až 600) A
– tableta (Capsule) ......................E35 / D60x8 mm a E28 / D49,5x5 mm
- základné elektrické parametre – (200 až 600) V, (6 000 až 7 500) A
* Rýchle - Fast Recovery
- púzdro – so skrutkou (Stud Screw Fit) .............................. E7 / M5 až E31 / M12
- základné elektrické parametre – (400 až 1 700) V, (17 až 140) A
* Lavínové - Avalanche
- púzdro – so skrutkou (Stud Screw Fit) ..................... E9 / M6 až E46 / M24 x 1,5
- základné elektrické parametre – (1 300 až 5 000) V, (20 až 400) A

1.2. Tyristory

Podrobnejšie informácie TU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/discretes/thyristors.html

Do tejto skupiny patria tyristory:

* Fázovo riaditeľné (štandardné) - Standard Recovery
- púzdro – so skrutkou (Stud Screw Fit) ............... B1 / M5 až B7 / M24 x 1,5
- základné elektrické parametre – (400 až 1 800) V, (10 až 300) A
– tableta (Capsule) .................... B8 / D41x14 mm až B21 / D50x14,5 mm
- základné elektrické parametre – (400 až 1 800) V, (340 až 1 200) A

2. Moduly s čipmi na báze Si

Do tejto skupiny SEMIKRON zaradil moduly s diódami, tyristormi, tyristormi a diódami, prvkami IGBT alebo MOSFET, IPM s prvkami IGBT a usmerňovacie mostíky. V tejto skupine je veľmi široká ponuka výrobkov a preto si ju predstavíme len stručne.

2.1. Moduly s diódami, tyristormi a tyristor/dióda (Thyristor/Diode Modules)

V tejto skupine sú na vebovej stránke SEMIKRONu všetky moduly s diódami, s tyristor-mi a kombináciou tyristor/dióda. Podrobnejšie informácie sú TU:
https://www.semikron.com/products/product-lines/semipack.html

2.1.1. Moduly s diódami - Púzdra „SEMIPACK“

Do tejto skupiny patria moduly s usmerňovacími diódami a sú ich dva druhy:
* S jednou diódou - Rad/Series „SKKE“
- základné elektrické parametre – (400 až 2 200) V, (14 až 1 360) A
- púzdro – 0 (61x21x25) mm až 6 (104x70x90) mm
* S dvoma diódomi (vetva) - Rad/Series „SKKD“
- základné elektrické parametre – (400 až 2 200) V, (14 až 701) A
- púzdro – 0 (61x21x25) mm až 5 (150x60x52) mm

2.1.2. Moduly s fázovo riaditeľnými tyristormi - Púzdra „SEMIPACK“

Do tejto skupiny patria nasledovné moduly:

* S dvoma tyristormi (vetva) - Rad/Series „SKKT“
- základné elektrické parametre – (600 až 2 200) V, (13,5 až 570) A
- púzdro – 0 (61x21x25) mm až 5 (150x60x52) mm

2.1.3. Moduly s kombináciou tyristor/dióda - Púzdra „SEMIPACK“

Do tejto skupiny patria moduly s jedným fázovo riaditeľným tyristorom a s jednou usmerňovacou diódou (tyristor/dióda), ktoré sú zapojené v sérii (vetva).

* Modul tyristor/dióda (vetva) - Rad/Series „SKKH“
- základné elektrické parametre – (600 až 2 200) V, (13,5 až 570) A
- púzdro – 0 (61x21x25) mm až 5 (150x60x52) mm

2.2. Usmerňovacie mostíky (Bridge Rectifier Modules)

V tejto skupine sú na vebovej stránke SEMIKRONu všetky usmerňovacie mostíky. Teda sú to jednofázové aj trojfázové, len s diódami alebo len s tyristormi alebo s kombináciou tyristory/diódy. Do tejto skupiny patria aj moduly, ktoré majú ešte naviac napr. diódu, alebo diódu s IGBTom (Brake Chopper / brzdový spínač) a snímačom teploty (termistor). Podrobnejšie informácieTU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/bridge-rectifier-modules.html

2.2.1. Usmerňovacie mostíky jednofázové

2.2.1.1. Usmerňovacie mostíky jednofázové - Púzdra „SEMIPONT“

Do tejto skupiny patria nasledovné druhy:
* Diódové - Rad/series „SKB“
- základné elektrické parametre – (200 až 1 800) V, (28 až 70) A
- púzdro – 1 (63x32x25) mm až 3 (72x42x30) mm
* Tyristorové - Rad/Series „SKBT“
- základné elektrické parametre – (600 až 1 400) V, (28 až 40) A
- púzdro – 1 (63x32x25) mm a 2 (65x48x36) mm
* Tyristory / Diódy - Rad/Series „SKBH, SKBZ, SKCH“
- základné elektrické parametre – (400 až 1 600) V, (28 až 40) A
- púzdro – 1 (63x32x25) mm a 2 (65x48x36) mm

2.2.1.2. Usmerňovacie mostíky jednofázové - Púzdra „SEMITOP“

Do tejto skupiny patria nasledovné druhy:

* Diódové - Rad/series „SK ... B“
- základné elektrické parametre – (600 až 1 600) V, (46 až 100) A
- púzdro – 2 (63x32x25) mm

2.2.2. Usmerňovacie mostíky trojfázové

2.2.2.1. Usmerňovacie mostíky trojfázové - Púzdra „SEMIPONT“

Do tejto skupiny patria nasledovné druhy:

* Diódové - Rad/series „SKD“
- základné elektrické parametre – (200 až 1 800) V, (31 až 207) A
- púzdro – 1 (63x32x25) mm až 4 (94x54x30) mm
* Tyristorové - Rad/Series „SKDT“
- základné elektrické parametre – (400 až 1 600) V, (60 až 145) A
- púzdro – 2 (65x48x36) mm a 5 (81x46x17) mm
* Tyristory / Diódy - Rad/Series „SKDH“
- základné elektrické parametre – (800 až 1 600) V, (100 až 145) A
- púzdro – 2 (65x48x36) mm a 5 (81x46x17) mm
* Diódové s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SKD“
- základné elektrické parametre – (1 200 až 1 800) V, (110 a 140) A
- púzdro – 6 (100x45x17) mm
* Tyristory / Diódy s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SKDH“
- základné elektrické parametre – (1 200 až 1 600) V, (110 a 140) A
- púzdro – 6 (100x45x17) mm

2.2.2.2. Usmerňovacie mostíky trojfázové - Púzdra „SEMITOP“

Do tejto skupiny patria nasledovné druhy:

* Diódové - Rad/series „SK .. D“
- základné elektrické parametre – (800 až 1 600) V, (55 až 95) A
- púzdro – 2 (41x28x12) mm a 3 (55x31x12) mm
* Tyristorové - Rad/Series „SK .. DT“
- základné elektrické parametre – (800 až 1 600) V, (42 a 68) A
- púzdro – 3 (55x31x12) mm
* Tyristory / Diódy - Rad/Series „SK .. DH“
- základné elektrické parametre – (800 až 1 600) V, (42 a 68) A
- púzdro – 3 (55x31x12) mm
* Diódové s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SK .. DGL“
- základné elektrické parametre – (1 200 až 1 600) V, (55 a 96) A
- púzdro – 3 (55x31x12) mm
* Tyristory / Diódy s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SK ... DHL“
- základné elektrické parametre – (1 200 a 600) V, (170 a 210) A
- púzdro – 4 (61x55x12) mm

2.2.2.3. Usmerňovacie mostíky trojfázové - Púzdra „MiniSKiiP“

Do tejto skupiny patria nasledovné druhy:

* Diódové - Typ – SKiiP 39AN16V1
- základné elektrické parametre – 1 600 V, 180 A
- púzdro – II 3 (82x59x16) mm
* Tyristory / Diódy - Typ – SKiiP 39AH16V1
- základné elektrické parametre – 1 600 V, 112 A
- púzdro – II 3 (82x59x16) mm
* Diódové s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SKiiP .. ANB“
- základné elektrické parametre – (1 600 a 1 800) V, (83 až 124) A
- púzdro – II 2 (59x52x16) mm a II 3 (82x59x16) mm
* Tyristory / Diódy s brzdovým spínačom a termistorom - Rad/series „SKiiP .. AHB“
- základné elektrické parametre – 1 600 V, (82 a 121) A
- púzdro – II 2 (59x52x16) mm a II 3 (82x59x16) mm

2.3. IGBT moduly (IGBT Modules)

Podrobnejšie informácieTU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/igbt-modules.html
Ponúkané moduly sú určené pre spínané aplikácie (meniče) a preto sa pod pojmom IGBT
vždy myslí prvok IGBT s antiparalelne zapojenou rýchlou diódou. V tejto skupine sú na vebovej stránke všetky IGBT moduly, so základnými informácia-mi v jednotlivých stĺpcoch. Pre niektoré (vybrané) stĺpce ich názov (v angličtine)
a význam údajov (v slovenčine), je nasledovný:
* Product Type - typ / presné označenie
* Product Line - obchodný názov púzdra (základné rozmery)
* Switches - názvy pre vnútorné usporiadanie / zapojenie IGBTov
* Technology - označenie čipov, napr. IGBT 3 (3. generácia - Trench, Fast Trench)
- najnovšia technológia čipov je IGBT 7, hlavne pre elektrické pohony

Aktuálne je na tejto vebovej stránke 566 výrobkov (Product Type). Aby sme mohli urobiť aspoň stručný prehľad z tejto širokej ponuky, rozdelíme moduly do hlavných skupín podľa púzdier (Product Line), presnejšie ich obchodných názvov.

Informácie v stĺpci „Switches“ sa týkajú aplikácií modulu/púzdra a sú v súlade s používanými pojmami v angličtine. Ich stručný význam je nasledovný:

1. ..... Single Switch, Chopper .................... spínač, napr. brzdový (IGBT a Dióda v sérii)
2. ..... 6 – pack ....................................... 6 x IGBT, najčastejšie 3-fázový mostík (3 vetvy)
3. ..... 7 – pack ................. 6 x IGBT (3 vetvy) a 1 x IGBT ako súčasť brzdového spínača
4. ..... 12 – pack .................................................... 2 x (6 x IGBT) - 2 x trojfázový mostík
5. ..... 3 – level ................................................ 1 vetva pre trojúrovňové spínanie striedača
6. ..... CIB ............ obsahuje prvky zapojené ako Converter/usmerňovač, Inverter/striedač
Brake/brzdový spínač
7. ..... H – Bridge ...................... 4 x IGBT zapojené do mostíka (Greatzovho, 1-fázového)
8. ..... Half – Bridge .................... 2 x IGBT v sérii (1 vetva, polovica 1-fázového mostíka)

2.3.1. IGBT moduly v púzdrach „MiniSKiiP“

* Veľkosti – II 0 (34x31x16) mm až II 3 (82x59x16) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 1 700) V, (6 až 388) A
* Aplikácie – 2., 5., 6., 7. a 8.

2.3.2. IGBT moduly v púzdrach „SEMITOP“

* Veľkosti – 2 (41x28x12) mm až 4 (61x55x12) mm
– E1 (63x34x12) mm a E2 (63x57x12) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 1 200) V, (12 až 210) A
* Aplikácie – 2., 5., 6., 7. a 8.

2.3.3. IGBT moduly v púzdrach „SEMiX“

* Veľkosti – 1s (84x64x17) mm až 4s (183x69x17) mm
– 3p (150x62x17) mm a 5p (130x70x17) mm
– 13 (138x71x17) mm a 33c (150x163x17) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 1 700) V, (75 až 600) A * Aplikácie – 1., 2., 5. a 8.

2.3.4. IGBT moduly v púzdrach „SEMITRANS“

* Veľkosti – 2 (94x34x30) mm až 6 (105x48x18) mm
– 2N (95x35x31) mm
– 10 (250x90x38) mm a 20 (140x100x38) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 3 300) V, (25 až 1 800) A * Aplikácie – 1., 2., 5. a 8.

2.3.5. IGBT moduly v púzdrach „SKiM 4/5“

* Veľkosti – 4 (123x107x35) mm a 5 (178x107x35) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 1 700) V, (110 až 600) A
* Aplikácie – 2. a 5.

2.3.6. IGBT moduly v púzdrach „SKiM 63/93“

* Veľkosti – 63 (160x114x35) mm a 93 (160x150x35) mm
* Základné elektrické parametre – (600 až 1 700) V, (300 až 600) A
* Aplikácie – 1. a 2.

2.4. IPM (Inteligent Power Modules)

Inteligentné výkonové moduly majú v púzdre okrem výkonových prvkov (IGBT) aj budiče, snímač prúdu a snímač teploty. SEMIKRON ponúka IPMy s ešte vyšším stupňom integrácie – doplnený o chladič a tvoria jeden celok.
Podrobnejšie informácie TU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/ipm.html

Majú obchodný názov SKiiP a vychádza z týchto slov v angličtine:
SEMIKRON integrated intelligent Power module.

Moduly SKiiP sú určené pre meniče, ktorých hlavné aplikácie sú v:

pohonoch s elektrickými motormi
fotovoltických elektrárňach
veterných elektrárňach
úložiskách elektrickej energie

2.4.1. IPM – SKiiP 3 ............... IGBT 3 (Trench)

2.4.1.1. SKiiP 3, vzduchové chladenie

2.4.1.1.1. SKiiP 3, rozmery 200x215x156 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 1 200 A; 1 700 V / (1 000 a 1 200) A
* Aplikácie – 8.

2.4.1.1.2. SKiiP 3, rozmery 280x215x156 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 600 A; 1 700 V / (500 a 570) A
* Aplikácie – 2.
* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 1 800 A; 1 700 V / (1 500 a 1 800) A
* Aplikácie – 8.

2.4.1.1.3. SKiiP 3, rozmery 360x215x156 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 2 400 A; 1 700 V / (2 000 a 2 400) A
* Aplikácie – 8.

2.4.1.2. SKiiP 3, kvapalinové chladenie

2.4.1.2.1. SKiiP 3, rozmery 270x215x112 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 1 200 A; 1 700 V / (1 000 a 1 200) A
* Aplikácie – 8.

2.4.1.2.2. SKiiP 3, rozmery 330x215x112 mm

2.4.1.2.3. SKiiP 3, rozmery 390x215x112 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 2 400 A; 1 700 V / (2 000 a 2 400) A
* Aplikácie – 8.

2.4.2. IPM – SKiiP 4 ............... IGBT 4 (Trench)

2.4.2.1. SKiiP 4, vzduchové chladenie

2.4.2.1.1. SKiiP 4, rozmery 280x215x152 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 1 800 A; 1 700 V / 1 800 A
* Aplikácie – 8.

2.4.2.1.2. SKiiP 4, rozmery 360x215x152 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 2 400 A; 1 700 V / 2 400 A
* Aplikácie – 8.

2.4.2.1.3. SKiiP 4, rozmery 470x215x152 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 3 600 A; 1 700 V / 3 600 A
* Aplikácie – 8.

2.4.2.2. SKiiP 4, kvapalinové chladenie

2.4.2.2.1. SKiiP 4, rozmery 290x215x102 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 1 800 A; 1 700 V / 1 800 A
* Aplikácie – 8.

2.4.2.2.2. SKiiP 4, rozmery 350x215x102 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 2 400 A; 1 700 V / 2 400 A
* Aplikácie – 8.

2.4.2.2.3. SKiiP 4, rozmery 480x215x102 mm

* Základné elektrické parametre – 1 200 V / 3 600 A; 1 700 V / 3 600 A
* Aplikácie – 8.

2.5. MOSFET moduly (MOSFET Modules)

SEMIKRON vyrába MOSFET moduly v zapojení spínač (1.), 3 vetvy (2.), vetva (7.) a mostík (8.) a v púzdrach SEMITOP a SEMITRANS. Moduly sú v napäťovom rozsahu (80 až 200) V a v prúdovom rozsahu (180 až 317) A. Sú špeciálne navrhnuté pre aplikácie s veľmi rýchlym spínaním a malými spínacími stratami. Podrobnejšie informácie TU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/mosfet-modules.html

2.5.1. MOSFET moduly v púzdrach „SEMITOP“

* Veľkosti – 2 (41x28x12) mm a 3 (55x31x12) mm
* Základné elektrické parametre – (80 až 100) V, (180 až 317) A
* Aplikácie – 7. a 8.

2.5.2. MOSFET moduly v púzdre „SEMITRANS“

* Veľkosť – M1 (80x42x30) mm
* Základné elektrické parametre – (100 až 200) V, (180 až 200) A
* Aplikácie – 1.

3. Moduly s čipmi na báze SiC

Do tejto skupiny SEMIKRON zaradil moduly „Full SiC“ a „Hybrid SiC“. „Full SiC“ moduly majú všetky prvky, teda tranzistory a diódy, na báze SiC a dovoľujú vysoké pracovné spínacie frekvencie. Ako tranzistory sú použité MOSFETy a ako antiparalelné diódy sú SCHOTTKY diódy. V niektorých aplikáciach stačia len „vlastné“ diódy MOSFETov. Použitím „Full SiC“ modulov sa aj pri vysokých spínacích frekvenciach dosiahne vysoký výkon, nízke straty a vysoká núčinnosť meniča. V dôsledku vysokých spínacích frekven-cií sa môžu výrazne zmenšiť pasívne komponenty filtra. A v dôsledku nižších strát sú menšie chladiče a potreba chladenia. Výsledkom týchto výhod je výrazné zníženie celkových nákladov na dané elektronické zariadenie. „Hybrid SiC“ moduly ako tranzistory majú IGBTy na báze Si a ako antiparalelné diódy majú SCHOTTKY diódy na báze SiC.

3.1. „Full SiC“ moduly (MOSFET / SCHOTTKY)

Aktuálne je na vebovej stránke 12 výrobkov a všetky majú napätie VDS = 1 200 V.
Podrobnejšie informácie TU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/sic/full-sic.html

3.1.1. „Full SiC“ moduly v púzdrach „SEMITOP“

* Veľkosť – 2 Press-Fit (28x41x12) mm
* Prúd ID – (18, 26 a 40) A
* Aplikácie – 7.
* Veľkosť – 3 Press-Fit (31x55x12) mm
* Prúd ID – 39 A
* Aplikácie – 1. a 2.
* Veľkosť – E2 (63x57x12) mm
* Prúd ID – 251 A
* Aplikácie – 8.

3.1.2. „Full SiC“ moduly v púzdrach „SEMITRANS 3“

* Veľkosť – (106x62x31) mm
* Prúd ID – (264, 523 a 541) A
* Aplikácie – 8.

3.1.3. „Full SiC“ moduly v púzdrach „MiniSKiiP II 2“

* Veľkosť – (59x52x16) mm
* Prúd ID – 72 A
* Aplikácie – 2.

3.2. „Hybrid SiC“ moduly (IGBT / SCHOTTKY)

Aktuálne je na vebovej stránke 10 výrobkov a všetky majú napätie VCE = 1 200 V.
Podrobnejšie informácieTU:
https://www.semikron.com/products/product-classes/sic/full-sic.html

3.2.1. „Hybrid SiC“ moduly v púzdrach „MiniSKiiP II“* Veľkosť – 2 (59x52x16) mm

* Prúd IC – 50 A
* Aplikácie – 2.
* Veľkosť – 3 (82x59x16) mm
* Prúd IC / Aplikácie – (100, 150) A / 2. * Prúd IC / Aplikácie – 300 A / 8.

3.2.2. „Hybrid SiC“ moduly v púzdrach „SEMITRANS 3“

* Veľkosť – (106x62x31) mm
* Prúd IC – 200 A * Aplikácie – 8.

3.2.3. „Hybrid SiC“ moduly v púzdrach „SKIM 93“

* Veľkosť – (160x150x35) mm
* Prúd IC – 450 A
* Aplikácie – 2.

3.2.4. „Hybrid SiC“ moduly v púzdrach „SEMiX 3p“

* Veľkosť – (150x62x17) mm
* Prúd IC / Aplikácia – 450 A / 2.
* Prúd IC / Aplikácie – 600 A / 8.

4. Nové výrobky

Aktuálne sú na vebovej stránke https://www.semikron.com/
v časti Products/New Products nasledovné výrobky:

4.1. PowerCell - platforma (základ) pre nabíjanie elektromobilov

Je to výrobok výkonovej elektroniky určený pre rýchle nabíjanie jednosmerným prúdom batérií v elektromobiloch. Má výkon 50 kW a umožňuje zainteresovaným spoločnostiam vyrábať a dodávať na trh jednosmerné (DC) rýchle nabíjačky s výkonom až 450 kW. „PowerCell“ obsahuje trojfázový usmerňovač s PFC, galvanicky izolovaný menič DC/DC a všetky potrebné filtre. Má aj riadiacu jednotku s rozhraním k regulátoru nabíjania.

* Základné elektrické parametre platformy „PowerCell“:
- Výkon – 50 kW
- AC vstup – 400 V +/- 10 % a 480 V +/- 10 %
- DC výstup – 500 V alebo 1 000 V
- PF – viac ako 0,98- Účinnosť – viac ako 94 %

Podrobnejšie informácie sú TU:
https://www.semikron.com/products/product-lines/air-cooled-igbt-stacks/powercell.html

4.2. SKAI 3 LV - platforma (základ) pre MOSFETové striedače (invertory)

Je to veľmi kompaktné riešenie 3. generácie priemyselných striedačov s MOSFETmi. Ide o 7. generáciu technológie striedačových MOSFETov vyrábanej v SEMIKRONe. Koncept platformy 3. generácie striedačov s MOSFETmi umožňuje štandardné riešenia, ale sa dá prispôsobiť aj iným konkrétnym požiadavkám (zákaznícke riešenia). Pripojenie zákazníckej riadiacej dosky k striedaču je ľahké. Vhodné sú hlavne pre elektromobily.

* Základné elektrické parametre platformy „SKAI 3 LV“:
- Výkon – do 55 kVA
- DC vstup (Batéria) – (24 až 160) V
- Prúdové preťaženie – až do 600 Aef
- Krytie – IP 66

Podrobnejšie informácie sú TU:
https://www.semikron.com/products/product-lines/skai/skai-3-lv.html

4.3. SEMiX 6

Je to nový rad púzdier vysokých 17 mm s lisovacími kolíkmi pre výkonové aj pomocné kontakty/svorky. Použitá je najmodernejšia technológia lisovacích kolí-
kov, ktorá umožňuje pripojenie všetkých prívodov a vývodov v jednom výrobnom kroku.
Tieto púzdra budú platformou pre náročné aplikácie rôznych výkonových meničov.
V týchto púzdrach budú najnovšie trojfázové usmerňovače s napätím až do 2 200 V a teplotou do 175 °C. V týchto púzdrach budú aj moduly s najnovšou technológiou čipov
IGBT pre napätie (650, 1 200 a 1 700) V.

Podrobnejšie informácie sú TU:
https://www.semikron.com/products/product-lines/semix/semix-6.html